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後方散乱分光法による高温超伝導薄膜の組成分析法の高速化および基板界面反応の制御

後方散乱分光法による高温超伝導薄膜の組成分析法の高速化および基板界面反応の制御
利用背散射光谱加速高温超导薄膜的成分分析并控制基底界面反应
批准号：
01645503
负责人：
中嶋 英雄
金额：
$1.28万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01645503/
关键词：
酸化物高温超伝導体ラザフォ-ド後方散乱法相互拡散界面反応銅シリサイドバッファ-層

项目摘要

项目成果

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1.本研究の目的本研究の目的はHeイオンを用いたラザフォ-ド後方散乱法(RBS)によりBa-Cu-O薄膜と種々の基板との相互拡散および界面反応を調べ、さらに、薄膜と基板との間のバッファ-層の相互拡散および界面反応に及ぼす効果を明らかにすることである。2.実験方法Y-Ba-Cu-O焼結材をタ-ゲットとする高周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、反応性スパッタ法により厚さ2000A程度のY-Ba-Cu-O薄膜を作製した。基板にはサファイア、Si、MgO単結晶および石英を用いた。酸素雰囲気中で870-1220Kの温度範囲でアニ-ルを行なつた。RBSはダイナミトロン加速器からの2.7MeVのHeイオンビ-を用いて、また、X線ディフラクトメ-タ-を用いて薄膜の構造を調べた。3.実験結果および考察得られた結果および考察をまとめると、次の通りである。(1)874-1226Kの温度範囲において、基板中へのCu拡散係数およびYBa_2Cu_3Ox薄膜中への基板元素の拡散係数を測定した。(2)YBa_2Cu_3Ox薄膜中の元素で、Cuが最も速く基板中に拡散する。(3)アニ-ル中にBaは薄膜表面付近から蒸発する。(4)Y-Ba-Cu-O薄膜中のCuとSi基板とは、顕著な界面反応を起こし、界面に銅シリサイドを形成する。(5)Si基板上に蒸着したHf、Zrあるいは、それらの酸化物層は良いバッファ-層となることを確認した。
期刊论文(4)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Nakahima: "Interdiffusion and Interfacial Reaction between an YBa_2Cu_3Ox Thin Film and Substrates" Applied Physics Letters. 53. 1437-1439 (1988)
H.Nakahima：“YBa_2Cu_3Ox 薄膜与基材之间的相互扩散和界面反应”应用物理快报。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Nakajima: "Interdiffusion between Y-Ba-Cu-O Thin Films and Substrate Mataerials" Defect and Diffusion Forum. 66-69. 1371-1376 (1989)
H.Nakajima：“Y-Ba-Cu-O 薄膜与基材材料之间的相互扩散”缺陷与扩散论坛。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
ガス化合物添加による貫通孔型ポーラス金属の製法開発と電子・医療機器材料への応用
  • 批准号：
    21656174
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.05万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    中嶋 英雄
  • 依托单位：
    Osaka University
無垢の鉄よりも4倍の比強度をもつ軽量高強度鉄の創製
  • 批准号：
    15656175
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    中嶋 英雄
  • 依托单位：
    Osaka University
プロチウムの溶解・放出を利用したセル金属構造体の創製
  • 批准号：
    12022219
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    中嶋 英雄
  • 依托单位：
    Osaka University
ロータス形状ポーラス金属の応用開発
  • 批准号：
    11792022
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for University and Society Collaboration
  • 资助金额：
    $5.38万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    中嶋 英雄
  • 依托单位：
    Osaka University