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金属半導体界面形成初期過程における界面原子変位の直接観察

金属-半导体界面形成初始过程中界面原子位移的直接观察

基本信息

批准号：
01650518
负责人：
尾浦憲治郎
金额：
$ 1.66万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

金属-半導体界面における現象を原子レベルで理解することは、今後の半導体マイクロエレクトロニクスの発展を考えると、ますます重要となりつつある。そこで本研究では、超高真空下でよく定義された状態での、界面形成初期過程における、金属および半導体原子のミクロな構造を、高速ならびに低速イオン散乱により調べることを目的としている。本年度は、数多くの系の中から、Ag/Si(111)-7x7系をとりあげ、1-5モノレヤ-の膜厚における構造を調べた。その結果、(1)Si(111)-7x7-清浄表面には、表面から6原子層におよぶ縦方向の原子変位が存在し、DASモデルを緩和させた構造であること、(2)室温でAgを蒸着すると、縦方向の変位が緩和されるこ、(3)高温(400℃)で蒸着すると、逆に縦方向の変位が清浄面の場合よりも大きくなること、(4)高温で形成される2次元吸着層である√<3>×√<3>構造は、1モノレヤ-のAgが最外層にあるような構造であること、などが明らかになった。また、このような超高真空における研究と並行して、ガラススパッタ膜/SiO_2/金属/Si積層光導波路における、金属電極の界面構造と電気光学特性との相関を調べた。以上の成果をふまえて、次年度は、清浄表面あるいは界面形成初期の構造をあらかじめ修飾することにより、特定の界面構造を実現することの可能性について、研究を進めたいと考える。

The phenomenon of metal-semiconductor interface is very important for understanding the development of semiconductor in the future. In this study, the definition of the state, the initial process of interface formation, the structure of metal atoms and semiconductor atoms, the high speed and low speed, and the dispersion of the target are discussed. In this year, the structure of Ag/Si(111)-7x7 system, Ag/Si(117)-7x7 system, Ag/Si (117)-7x7 system, Ag/Si (1 The results are as follows: (1)Si(111)-7x7-Si (111)-7x7)-7x7-Si (111)-7x7)-7x7-Si (111)-7x7-Si (111)-7x7)-7x7-Si (111)-7x7)-7x7-Si (4) The formation of the 2D adsorption <3>layer at high temperature is characterized by the formation of the outermost <3>Ag layer. Study on Ultra-high Vacuum Optical Circuit, Interface Structure of Metal Electrodes and Correlation of Electro-optical Properties The above achievements are related to the investigation of the possibility of the formation of specific interface structures in the early stage of interface formation.