课题基金 / 基金详情

青色レアア-ス電場発光の効率向上におけるコド-パント効果の研究

青色レアア-ス電場発光の効率向上におけるコド-パント効果の研究
共掺杂效应提高蓝色稀土电致发光效率的研究
批准号:
02204023
负责人:
伊吹 順章
金额:
$1.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
1)ZnS:Tm発光の研究ZnS:Tmは478nmに発光し、純度のよい青色電場発光用材料として知られているが、その効率はよくない。従ってLiやCuの如き1価の不純物を導入して、効率を上げる研究を進めている。まずZnS自身の欠陥も重大な寄与をするので、ZnSに種々の量のTmをド-プした蛍光体の吸収と発光の製法や熱処理による依存性を調べた。その結果Tmのみの純度のよい青色発光を得るためにはSの空孔が少ないことが肝要であることが判明した。2)SrS:CeにおけるCuコド-パントの効率SrS:Cu,SrS:Ce及びSrS:Ce,Cuの三種の青色発光層を用いた薄膜交流EL素子の電気光学特性を測定し、SrS:CeよりもSrS:Ce,Cuが2倍の輝度を示していることからCuの共付活剤としての効果を確認した。またこの膜中でのCe,Cuの深さ方向への分布をSIMSにより解析した。Ceは均一に分布しているが、Cuは発光層内部よりもSiO_2との界面に多く分布し、導電相を形成して電子源として働き、Cu共付活による高輝度化の原因となっていることが予想される。3)ECRプラズマMOCVD法によるZnSの低温成長ECRにより水素プラズマを生成し、これを用いたMOCVD法により、非晶質石英基板上にZnS薄膜の低温成長を行い、さらにMnを導入してELの基礎実験を行った。200℃の低温にても石英基板上に[001]方向に強く配向したZnS薄膜が得られ、マイクロ波電力の増加によって非晶質基板上の成長初期においても良好な結晶性が認められた。同様な成長条件でMnをド-プしたものでも、Mnによる橙色発光が測定された。
英文摘要
1)ZnS:Tm発光の研究ZnS:Tmは478nmに発光し、純度のよい青色電場発光用材料として知られているが、その効率はよくない。従ってLiやCuの如き1価の不純物を導入して、効率を上げる研究を進めている。まずZnS自身の欠陥も重大な寄与をするので、ZnSに種々の量のTmをド-プした蛍光体の吸収と発光の製法や熱処理による依存性を調べた。その結果Tmのみの純度のよい青色発光を得るためにはSの空孔が少ないことが肝要であることが判明した。2)SrS:CeにおけるCuコド-パントの効率SrS:Cu,SrS:Ce及びSrS:Ce,Cuの三種の青色発光層を用いた薄膜交流EL素子の電気光学特性を測定し、SrS:CeよりもSrS:Ce,Cuが2倍の輝度を示していることからCuの共付活剤としての効果を確認した。またこの膜中でのCe,Cuの深さ方向への分布をSIMSにより解析した。Ceは均一に分布しているが、Cuは発光層内部よりもSiO_2との界面に多く分布し、導電相を形成して電子源として働き、Cu共付活による高輝度化の原因となっていることが予想される。3)ECRプラズマMOCVD法によるZnSの低温成長ECRにより水素プラズマを生成し、これを用いたMOCVD法により、非晶質石英基板上にZnS薄膜の低温成長を行い、さらにMnを導入してELの基礎実験を行った。200℃の低温にても石英基板上に[001]方向に強く配向したZnS薄膜が得られ、マイクロ波電力の増加によって非晶質基板上の成長初期においても良好な結晶性が認められた。同様な成長条件でMnをド-プしたものでも、Mnによる橙色発光が測定された。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
G.O.Mueller: "Bright SrS:Ce^<3+> Thin Film Electroluminescent Devices" Proc.of the Tenth International Display Research Conf.88-91 (1990)
G.O.Mueller:“Bright SrS:Ce^<3>薄膜电致发光器件”Proc.of the Tenth International Display Research Conf.88-91 (1990)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Ohnishi: "BlueーGreen Color TFEL Device with Sputtered SrS:Ce Thin Films" Proc.of the Soc.for Information Display. 31. 31-36 (1990)
H.Ohnishi:“带有溅射 SrS:Ce 薄膜的蓝绿色 TFEL 器件”Proc. of the Soc. 31. 31-36 (1990)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Ohnishi: "Luminescence and Crystallimty of Sputtered ZnS:Tb,F Thin Film" Proc.of the Soc.for Information Display.
H.Ohnishi:“溅射 ZnS:Tb,F 薄膜的发光和结晶度”Proc.of the Soc.for Information Display。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
S.Ibuki: "Spectroscopic Study on Sputtering of PLZT Thin Film" Jap.J.of Appl.Phys. 29. 532-535 (1990)
S.Ibuki:“PLZT 薄膜溅射的光谱研究”Jap.J.of Appl.Phys。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
6
    電場励起による発光中心へのエネルギー遷移と発光中心の結晶学的研究
    • 批准号:
      63604027
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $1.47万
    • 财政年份:
      1988
    • 负责人:
      伊吹 順章
    • 依托单位:
    電場励起による発光中心へのエネルギー還移と発光中心の結晶学的研究
    • 批准号:
      62604019
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $0.96万
    • 财政年份:
      1987
    • 负责人:
      伊吹 順章
    • 依托单位: