青色レアア-ス電場発光の効率向上におけるコド-パント効果の研究

共掺杂效应提高蓝色稀土电致发光效率的研究

• 批准号: 02204023
• 负责人: 伊吹 順章
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Setsunan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02204023/
• 关键词: 電場発光; レアア-ス; コド-パント効果; Tm; Ce; Cu; ZnS; SrS

1)ZnS:Tm発光の研究ZnS:Tmは478nmに発光し、純度のよい青色電場発光用材料として知られているが、その効率はよくない。従ってLiやCuの如き1価の不純物を導入して、効率を上げる研究を進めている。まずZnS自身の欠陥も重大な寄与をするので、ZnSに種々の量のTmをド-プした蛍光体の吸収と発光の製法や熱処理による依存性を調べた。その結果Tmのみの純度のよい青色発光を得るためにはSの空孔が少ないことが肝要であることが判明した。2)SrS:CeにおけるCuコド-パントの効率SrS:Cu,SrS:Ce及びSrS:Ce,Cuの三種の青色発光層を用いた薄膜交流EL素子の電気光学特性を測定し、SrS:CeよりもSrS:Ce,Cuが2倍の輝度を示していることからCuの共付活剤としての効果を確認した。またこの膜中でのCe,Cuの深さ方向への分布をSIMSにより解析した。Ceは均一に分布しているが、Cuは発光層内部よりもSiO_2との界面に多く分布し、導電相を形成して電子源として働き、Cu共付活による高輝度化の原因となっていることが予想される。3)ECRプラズマMOCVD法によるZnSの低温成長ECRにより水素プラズマを生成し、これを用いたMOCVD法により、非晶質石英基板上にZnS薄膜の低温成長を行い、さらにMnを導入してELの基礎実験を行った。200℃の低温にても石英基板上に[001]方向に強く配向したZnS薄膜が得られ、マイクロ波電力の増加によって非晶質基板上の成長初期においても良好な結晶性が認められた。同様な成長条件でMnをド-プしたものでも、Mnによる橙色発光が測定された。

1) Study on ZnS:Tm Light Emitting at 478nm ZnS:Tm Light Emitting at 478nm, Purity at 478 nm, Purity at 478 nm ZnS:Tm Light Emitting at 478 nm ZnS: Tm The study of Li and Cu impurity introduction and efficiency improvement was carried out in this paper. The dependence of ZnS on the absorption and emission of light and on the heat treatment of ZnS is also discussed. The purity of Tm is determined by the number of holes in it. 2) The electro-optical properties of SrS:Cu,SrS:Ce and SrS:Ce,Cu thin film AC EL elements for cyan light-emitting layers were measured. The electro-optical properties of SrS:Cu,SrS: Ce and SrS:Ce,Cu thin film AC EL elements for cyan light-emitting layers were determined. Ce and Cu in the film were analyzed by SIMS. The reason for the high luminance of Ce and Cu is that Ce and Cu are uniformly distributed in the SiO_2 interface, and the conductive phase is formed in the SiO_2 interface. 3) Low temperature growth of ZnS by ECR MOCVD method, low temperature growth of ZnS thin film on amorphous quartz substrate by ECR MOCVD method, low temperature growth of ZnS thin film on amorphous quartz substrate by Mn introduction, and basic development of EL. ZnS thin films with strong alignment in the [001] direction on quartz substrates at low temperatures of 200 ° C were found to have good crystallinity at the initial stage of growth on amorphous substrates. Under the same growth conditions, Mn was measured by orange emission.

项目成果

G.O.Mueller: "Bright SrS:Ce^<3+> Thin Film Electroluminescent Devices" Proc.of the Tenth International Display Research Conf.88-91 (1990)

G.O.Mueller：“Bright SrS:Ce^<3>薄膜电致发光器件”Proc.of the Tenth International Display Research Conf.88-91 (1990)

H.Ohnishi: "BlueーGreen Color TFEL Device with Sputtered SrS:Ce Thin Films" Proc.of the Soc.for Information Display. 31. 31-36 (1990)

H.Ohnishi：“带有溅射 SrS:Ce 薄膜的蓝绿色 TFEL 器件”Proc. of the Soc. 31. 31-36 (1990)。

H.Ohnishi: "Luminescence and Crystallimty of Sputtered ZnS:Tb,F Thin Film" Proc.of the Soc.for Information Display.

H.Ohnishi：“溅射 ZnS:Tb,F 薄膜的发光和结晶度”Proc.of the Soc.for Information Display。

S.Ibuki: "Spectroscopic Study on Sputtering of PLZT Thin Film" Jap.J.of Appl.Phys. 29. 532-535 (1990)

S.Ibuki：“PLZT 薄膜溅射的光谱研究”Jap.J.of Appl.Phys。

R.Mach: "Compairing Technologies for Thin Film Electroluminescent Devices" Soc.for Information Display International Symposium Digest of Technical Papers. 238-241 (1990)

R.Mach：“薄膜电致发光器件的比较技术”Soc.for Information Display 国际研讨会技术论文文摘。