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電場励起による発光中心へのエネルギー還移と発光中心の結晶学的研究

通过电场激发将能量转移到发光中心以及发光中心的晶体学研究

基本信息

批准号：
62604019
负责人：
伊吹順章
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Setsunan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62604019/
关键词：
電場発光発光中心エネルギー還移レアアース ZnS ZnSe LaPO_4 薄膜ELセル

项目摘要

本研究は電場励起による発光現象について, 励起エネルギーがどのような経路で発光中心に移るか, 発光中心の結晶学的構造がどのような場合に発光が強くなるかを正確に把握し, 電場励起による発光効率の向上を図ることを目的とするものである.本年度はまずZmSeにレアアースをドープした蛍光体において, レアアースの入る位置とコドーパントを入れた時のレアアース周辺の対称性をZnSe:Euは單純にZnと置換していること, ZnSe:TmについてはLiをコードパントとした場合Tm^<3+>が4個のSeに囲まれた格子間位置に入り, 第二近接位置の6個のZnのうち4個がLiで置換された結晶学的構造をとり, この時の発光はTmのみの場合と比べて数百倍の強度を示すことを再確認した. このようなレアアース複合中心がZnSe母体内の電子-正孔の再結合中心となり, この際放出されるエネルギーがレアアースの4f電子系に共鳴伝達されるために発光強度が飛躍的に増大すると考えている. さらに我々はBausch and Lomb高分散写真分光器を整備して光励起による微細発光スペクトルを測定し, ZnS:Tmにおいても試料作成条件による差異の大きいことを観察した.次にTbをトープしたLaPO_4:Ce, Tb蛍光体にて, 燐酸基の一部を硼酸基で置換するか又はThを添加することによって, 発光強度の温度特性が大巾に改善され, 20°Cから350°Cの高温まで強度がほゞ一定になることを見出し, 電場発光への適用を考えている.さらに我々はEB法によりZnS:Tb=重絶縁構造薄膜ELセルの試作を行い, その発光強度のTb濃度及び膜原依存性などの基本的な測定を行った. またMOCVD並びにECRプラズマCVD法によりELセルを試作すべく装置の試作中である.

In this paper, the light emission phenomenon caused by electric field excitation is studied, and the light emission center is shifted in the excitation path, and the crystallographic structure of the light emission center is changed. In this year, the symmetry of ZnSe:Eu in the vicinity of the lattice is confirmed by the symmetry of ZnSe: Eu in the vicinity of Li in the vicinity of Li in the vicinity The recombination center of the electron-positive hole in ZnSe matrix increases the intensity of the emitted light by leaps and bounds due to the resonance of the electron system. The Bausch and Lomb high dispersion photo spectrometers are equipped with optical excitation, fine emission and measurement, ZnS:Tm, and large differences in sample preparation conditions are observed. In addition, Tb was added to LaPO_4:Ce, Tb phosphor. The temperature characteristic of luminescence intensity was greatly improved. The intensity of luminescence at high temperature from 20°C to 350°C was stable. In this paper, the EB method is used to determine the Tb concentration and the film origin dependence of the emission intensity of ZnS:Tb= heavy insulating thin film EL. MOCVD and ECR are in the process of trial operation.