光物性によるワイドギャップIIーVI族化合物のエピタキシャル成長の研究
基于光学特性的宽禁带II-VI族化合物外延生长研究
基本信息
- 批准号:02205115
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1990
- 资助国家:日本
- 起止时间:1990 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
(1)高温分子線を用いたZnSe/GaAsのMBE成長:Se分子とZn原子の試料表面拡散長の増大による成長温度の低温化を狙って、高温加熱した各分子線を用いたMBE成長を試みた。分子線の高温化には、加熱部を内蔵したセルを試作した。実験は加熱部温度を一定で(600℃)行なった。その結果基板温度100℃でも良好なエピ膜の成長を確認した。成長温度100ー200℃のエピ膜は、強いl_2束縛励起子発光線の他は、Y,DAPおよび深い準位からの発光は非常に弱いか全く観測されず、良好な低温でのPLを示した。また表面モフォロジ-も比較的良好であった。一方、Se分子のみを高温加熱した場合には、成長温度は200℃までしか低下し得なかったことから判定するに、Se,Znともに高温加熱し、つまり高速分子線を用いることで、両原子の表面拡散が促進され、その結果低温成長が可能になったものと結論できる。分子線加熱温度、Vl/ll比、分子線強度等の最適化によりさらに低温成長が可能と思われる。(2)(NH_4)_2S_x溶液で硫黄処理したGaAs基板上にZnSeをMBE法で成長し、その結晶性の評価をした。その結果、通常の硫黄系溶液で処理した基板上に成長したZnSe膜に比べ、硫黄処理した基板上に成長したZnSe膜のX線ロッキング曲線の半値幅は一般に大きく、特に薄い膜で顕著である。また、GaAs基板の半値幅もZnSe膜厚依存性を持つが、硫酸系処理を施した基板の方が大きい。これらの結果は、基板とエピ膜の界面に存在していると考えられる硫黄が、膜の結晶性をむしろ低下させていることを示唆しており、MOMBE成長の時とは逆の結果となっていることが判明した。膜成長時の水素ガスの有無が関与している可能性がある。基板とエピ膜界面の性質については、GaAsバファ-層成長による本質的な解決を目論み、計画中である。
(1) the growth of high-temperature molecules by ZnSe/GaAs MBE: the growth of Se molecules by Zn atomic materials, the growth temperature by low-temperature growth, and the growth test by MBE by high-temperature heating. The molecular line is heated to high temperature, and the part of the molecular line is used to increase the temperature. Please add a certain temperature (600 ℃) to the temperature. The results showed that the temperature of the substrate was 100 ℃ and the growth of film was good. The growth temperature is 100-200 ℃ and the growth temperature is 100-200 ℃. The light beam of the beam exciter is sensitive to other light sources, and the position alignment is very weak. The temperature is very low and the temperature is good. The low temperature temperature is good. On the surface, there is a good picture of the difference. On the one hand, Se molecules grow at high temperature and grow at low temperature at 200 ℃. The temperature is low, the temperature is high, the temperature is low, the temperature is low. Molecular line heating temperature, Vl/ll ratio, molecular strength and so on are the most sensitive factors for low temperature growth. (2) (NH_4) _ 2S_x solution was used to analyze the growth and crystallization properties of the GaAs substrate by ZnSe growth MBE method. The results show that the growth rate of ZnSe film on the substrate of sulfur solution is higher than that of ZnSe film on the substrate of sulfur solution, and the half-width of the curve of ZnSe film on the substrate of sulfur solution is higher than that of the thin film. The thickness of the ZnSe film is dependent on the thickness of the GaAs substrate and the sulfuric acid system. The results of the test, the presence of sulfur in the interface between the substrate and the membrane, the crystalline property of the membrane, the low temperature of the membrane, and the long-term performance of MOMBE. The results showed that the temperature was stable. The formation of the film for a long time, there is a difference between the possibility and the possibility. The characteristics of the interface between the substrate and the film, the characteristics of the GaAs film, the growth of the substrate, the interface of the substrate and the interface between the substrate and the film.
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Saito,M.Ohishi,A.Watanabe,K.Ohomiri: "Strainーinduced splitting of free exciton band in epitaxially grown ZnSe/GaAs" J.Crystal Growth. 101. 727-730 (1990)
H.Saito、M.Ohishi、A.Watanabe、K.Ohomiri:“外延生长的 ZnSe/GaAs 中自由激子带的应变诱导分裂”J.Crystal Growth。 101. 727-730 (1990)
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H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki,K.Ohomiri: "Ultraviolet irradiation effect on the MBE growth of ZnSe/GaAs observed by RHEED" J.Crystal Growth.
H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki,K.Ohomiri:“通过 RHEED 观察到紫外线照射对 ZnSe/GaAs MBE 生长的影响”J.Crystal Growth。
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H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki,K.Ohomiri: "MBEーgrown ZnSe surface studied by the in situ observation of the RHEED intensity" Japanese J.Applied Physics.
H.Saito、M.Ohishi、H.Torihara、Y.Fujisaki、K.Ohomiri:“通过原位观察 RHEED 强度研究 MBEー生长的 ZnSe 表面”日本 J.应用物理学。
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H.Saito,M.Ohishi,H.Torihara,Y.Fujisaki: "Crystallographic qualities of ZnSe layers grown by MBE on GaAs(001) pretreated by(NH_4)_2S_x" Japanese J.Applied Physics.
H.Saito、M.Ohishi、H.Torihara、Y.Fujisaki:“在 (NH_4)_2S_x 预处理的 GaAs(001) 上通过 MBE 生长的 ZnSe 层的晶体学质量”日本 J.应用物理学。
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H.Saito,M.Ohishi,J.Fujiwara,K.Ohomiri: "Effect of residual strain on the splitting of excitonic luminescence lines in epitaxially grown ZnSe/GaAs" Japanese J.Applied Physics. 29. 1504-1505 (1990)
H.Saito、M.Ohishi、J.Fujiwara、K.Ohomiri:“残余应变对外延生长的 ZnSe/GaAs 中激子发光线分裂的影响”日本 J.应用物理学。
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斉藤 博其他文献
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