课题基金 / 基金详情

超急冷膜を用いるその場合成法による高Tc超伝導テ-プの作製

超急冷膜を用いるその場合成法による高Tc超伝導テ-プの作製
超淬火薄膜原位法制备高温超导带
批准号：
02226212
负责人：
吉村 昌弘
金额：
$1.09万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02226212/
关键词：
超伝導厚膜Bi高Tc超伝導体超急冷膜その場合成銅基板超伝導テ-プ

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项目成果

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我々はBi系超急冷酸化物と,銅基板上の酸化銅を反応させることにより,数分から数十分の極めて短時間で銅基板上にBi系超伝導厚膜を合成するプロセスを開発中である。この方法は融体と基板とを直接接触させ,その場(in situ)で反応させるので,本質的に連続化が可能であり,テ-プ状試料が直接作製できる可能性がある。本年度は超急冷した膜状試料を基板上にのせ,温度勾配のある炉中を移動させながら反応させ,配向した厚膜の合成の可能性をしらべた。その結果,Bi_2SrCaO_6組成の超急冷膜を銅基板にのせて840°〜860℃の炉中に挿入して反応させれば,5分程度の短時間でも80K相の(OOl)配向膜が得られることが確かめられた。しかしながら,この方法において,Pbの添加,窒素雰囲気中での焼成,アニ-ルなどを行っても,生成相は80K相または半導体相であり,100K相は生成しないことがわかった。また,試料移動速度が速すぎると反応時間が不足して良好な膜が得られないこと,銅基板の表面は予め酸化しておかなくとも,反応中に表面酸化が起るので反応に必要な酸化銅が供給されることがわかった。さらに,c軸に配向した結晶相をa軸にもそろえて成長させるためには移動方向の温度勾配ばかりでなく,基板と垂直な方向の温度勾配も制御が必要であることが明らかになった。
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.H.Sung,Z.Nakagawa M.Yoshimura: "Crystallization Process of BiーContaining Superconductors Prepared from Rapidly Quenched Amorphous Materials" Proceedings of 7th KoreaーJapan Seminar on New Ceramics. 7. 264-269 (1990)
T.H.Sung, Z.Nakakawa M.Yoshimura：“快速淬火非晶材料制备双含超导体的结晶过程”第七届韩日新陶瓷研讨会论文集。7. 264-269 (1990)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.H.Sung,Z.Nakagawa M.Yoshimoto,H.Koinuma N.Ishizawa,M.Yoshimura: "In situ Preparation of Bi System Superconducting Thick Film from Rapidly Quenched BiーSrーCaーOxide Film" Jpn.J.Appl.Phys.29. L949-L951 (1990)
T.H.Sung、Z.Nakakawa M.Yoshimoto、H.Koinuma N.Ishizawa、M.Yoshimura：“从快速淬火 Bi-Sr-Ca-Oxide 薄膜中原位制备 Bi 系超导厚膜” Jpn.J.Appl.Phys .29.L949-L951（1990）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
吉村 昌弘,石坂 政俊,成 台鉉: "超急冷BiーSrーCuーM酸化物と表面酸化銅基板との反応による超伝導厚膜の生成過程" セラミックス論文誌.
Masahiro Yoshimura、Masatoshi Ishizaka、Tae Hyun Seong：“超淬火 Bi-Sr-Cu-M 氧化物与表面氧化铜基体反应制备超导厚膜的工艺”《陶瓷杂志》。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.H.Sung,Z.Nakagawa N.Ishizawa,M.Yoshimara: "Effects of Cd Doping on Biーcontained Superconductors from Rapidly Quenched Amorphous Films" Mol.Cryst.Liq.Cryst.184. 105-109 (1990)
T.H.Sung、Z.Nakakawa N.Ishizawa、M.Yoshimara：“镉掺杂对快速淬火非晶薄膜双含超导体的影响”Mol.Cryst.Liq.Cryst.105-109 (1990)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
ソフト溶液プロセスによる高機能セラミックス薄膜
  • 批准号：
    06F06404
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    吉村 昌弘
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
融体急冷非晶質を用いる新しいセラミックナノコンポジットの作製
  • 批准号：
    03F00752
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    吉村 昌弘
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
融体急冷非晶質を用いる新しいセラミックナノコンポジットの作製
  • 批准号：
    03F03752
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    吉村 昌弘
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
融体急冷法による多成分セラミックスナノ材料の作製と評価
  • 批准号：
    02F00795
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    吉村 昌弘
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology