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金属超格子における超弾性効果の研究

金属超晶格中的超弹性效应研究

基本信息

批准号：
02254204
负责人：
篠嶋妥
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Ibaraki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至 1992
项目状态：
已结题

项目摘要

平成2年度は、実験的研究については、現有の高周波スパッタリング装置により、金属超格子を作成するための予備実験を行った。モリブデンおよび銅に関して、個々のスパッタリングのレ-トを測定し、交互に積層するためのデ-タを得た。しかし、チャンバ-内のアルゴンガス圧がふらつき、これがレ-トを一定に保つことを困難にしていることから、ガス導入バルブを更新することにした。また、予算に設備備品費として計上した小型真空蒸着装置については、まだ1種類の金属しか蒸着できないために、単独での蒸着実験を行っている。平成3年度にこれを2電源にして、積層膜を作製する予定である。一方、計算機シミュレ-ションによる研究では、金属超格子の原子構造を理解する第一歩として、薄膜が形成される初期過程について着目した。分子動力学法(MD)、モンテカルロ法(MC)、MDとMCを組み合わせた方法(ハイブリッド法)によって、真空蒸着プロセス、クラスタ-蒸着プロセス、および単原子層の構造緩和のシミュレ-ションを行った。原子間相互作用としては、単純な二体中心力である、モ-スあるいはレナ-ド・ジョンズポテンシャルを仮定する。原子サイズと結合エネルギ-に相当するポテンシャルパラメ-タ-と、基板温度や蒸着レ-ト等の実験パラメ-タ-を変化させて計算を行って、それらの蒸着膜の原子構造に及ぼす影響を明らかにした。その結果、以下に記すようなことが明らかになった。蒸着膜の成長様式については、主として薄膜原子ー基板原子間の結合エネルギ-Dfsと、薄膜原子ー薄膜原子間の結合エネルギ-Dffが支配要因で、Dfs>Dffのとき層状成長するFMモ-ド、Dfs<Dffのとき3次元状の核が基板に直接生成するVMモ-ド、数原子層が形成された後に3次元状の核が生成するSKモ-ドは、Dfs>Dffの条件に加えて、基板温度が高いことが必要である。

In 2002, the company conducted research on the preparation of existing high-frequency equipment and metal superlattice. The first step is to measure the temperature of the air and the temperature of the air. The information in the file is updated according to the information in the file. The file is updated according to the information in the file. The estimated equipment spare parts cost is calculated on the basis of the small vacuum evaporation device, and the evaporation of one kind of metal is carried out independently. 2 years ago, the power supply and the multilayer film were determined. The first step in understanding the atomic structure of metal superlattices is to study the initial process of thin film formation. Molecular Dynamics (MD), Molecular Dynamics (MC), MD and MC Combination (MD and MC) are used for the preparation, vacuum evaporation, crisp-evaporation, and structural mitigation of atomic layers. Atomic interactions are determined by pure two-body central forces. The atomic structure and influence of the vapor deposition film on the calculation of the atomic structure of the vapor deposition film are discussed in detail. The results are as follows: The growth formula of vapor deposition film is mainly composed of the following factors: Dfs> Dff, Dff> FM, Dfs <Dff, Dff> FM, Dfs> Dff, Dfs> FM, Dfs<Dff, Dfs> FM, Dfs>Dff, Dfs> FM, Dfs>Dff, Dfs> Dfs> Dff, Dff, Dfs>Dff, Dfs>Dff, Dff The substrate temperature is high and necessary.