摂動角相関法による金属人工格子界面構造の研究
摂動角相関法による金属人工格子界面構造の研究
批准号:
03240210
负责人:
金沢 育三
金额:
$0.38万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
中文摘要
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英文摘要
本研究では スパッタリング法で CuーHf金属多層膜を作製し、さらに焼鈍することで 固相反応を起こさせ 非晶合金を得ることを試みた。CuーHf金属多層膜は高周波マグネトロンスパッタにより作製し、実験では層厚が異なる3種類の試料を用いた。それぞれの試料は100℃ステップの焼鈍を行ない非晶質化、さらには 結晶化させていき,その局所構造の変化を TDPACの測定により調べた。3種類の試料は 積層周期が110A^^○〔Cu54A^^○/Hf56A^^○〕,440A^^○〔Cu228A^^○/Hf218A^^○〕,2000A^^○〔Cu1000A^^○/Hf1000A^^○〕で、ト-タルの厚さは すべて10000A^^○である。TDPAC測定はfastーfast系で4検出器により行なった。またTDPACスペクトルの解析は 最大エントロピ-法によった。X線測定により、Hf層及びCu層はそれぞれ(002)面及び(111)面に垂直方向に成長することがわかった。また 層厚110A^^○の場合、作製時で すでに非晶質化されていることがわかった。層厚440A^^○の場合、400゚Cの焼鈍により非晶質化された。また 層厚2000A^^○の場合500゚Cの焼鈍により非晶質化された。非常に興味深いのは、層厚440A^^○及び2000A^^○の場合、作製時、比較的きれいな層になっているにもかかわらず、Hf層内のTDPACスペクトルは Hf結晶が非常にひずんでいることを示めしている。またVzzもHCPHf結晶に比して高く、この傾向はNbーHfーNb多層膜の結果と類似なものとなっている。これらのひずみが 非晶質化にともない減少することから Hf層内の大きなひずみが 非晶質化に対し非常に重異な役割をはたしているものと考えられる。
期刊论文(5)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T,Oguchi,I,Kanazawa.T,Iwashita,W.H,Soe,A,Yamaguchi,and R,Yamamoto: "Solid‐state amorphization in multilayers Cu/Hf stadied by TDPAC" Journal ot Non‐Crystalline Solids.,. (1991)
T、Oguchi、I、Kanazawa。T、Iwashita、W. H、Soe、A、Yamaguchi 和 R、Yamamoto:“TDPAC 所研究的多层 Cu/Hf 中的固态非晶化”《非晶固体杂志》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I,Kanazawa,Y,Yamazaki,Y,Sakurai,and T,Iwashita: "The shortーrange strcctures of the icosahedral and amorphous AlーMuーSi alloys detected TDPAC" Jornal ot NonーCrystalline solids. 118. 797-800 (1990)
I、Kanazawa、Y、Yamazaki、Y、Sakurai 和 T、Iwashita:“TDPAC 检测到的二十面体和非晶 Al-Mu-Si 合金的短程结构”Jornal ot 非晶体固体 118。797-800( 1990)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I,Kanazawa,T,Ohuta.Y,Yamazaki.Y,Sakurai.S,Nanno and T.Iwashita: "Positron‐annihilation and time‐ditterential‐correlation studies ot the amorphous Al‐Mu‐Si alloy" Physical Review B. 43. 9482-9486 (1991)
I、Kanazawa、T、Ohuta、Yamazaki、Y、Sakurai、S、Nanno 和 T. Iwashita:“非晶态 Al-Mu-Si 合金的正电子湮灭和时间双差相关研究” 物理评论 B. 43 .9482 -9486 (1991)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
摂動角相関法による金属多層膜界面の研究
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批准号:04224206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1992
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负责人:金沢 育三
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依托单位:
アルカリ金属・グラファイト・インタカレーションにおける水素吸蔵と物性
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批准号:59750552
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1984
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负责人:金沢 育三
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依托单位: