原子レベルで構造制御した強相関酸化物人工格子の物性と外場応答に関する研究

原子级结构控制的强关联氧化物人工晶格物理性质及外场响应研究

基本信息

  • 批准号:
    07J06435
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.7万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

パルスレーザー堆積法により原子レベルで膜厚を制御した高品質アナターゼ型TiO_2薄膜の局在化の性質とその光励起伝導について系統的に調べた。Nbをドープし金属化したアナターゼ型TiO_2薄膜をLAO基板上に作製し、膜厚を50nmから7nmまで変化させたところ、膜厚が薄くなるにつれて抵抗率が上昇し、温度依存性は低温に向けて大きくなっていく絶縁体的振る舞いを示した。この温度依存性は丁度ρoclnTに良く合うので電子の干渉による局在化のために抵抗が大きくなっているものと考えられる。TiO_2の価電子バンドから伝導バンド間のギャップエネルギーは約3.2eVである。このギャップエネルギー程度の光(紫外光)を薄膜に照射したときの抵抗変化を調べた。紫外光照射時と暗室下のホール効果測定の結果、紫外光照射によるキャリア密度の増加には膜厚依存が殆どなく、膜厚が薄い絶縁体的な薄膜は紫外光照射によって移動度が増加するために抵抗率の減少が厚膜に比べて大きくなることが分かった。これは電子干渉によって局在化していた状態から、光励起によってキャリアが増えたため非局在化して移動度が大きくなったと推測出来る。ペロブスカイト基板上に高品質なアナターゼ型TiO_2が成長することから、逆に、TiO_2薄膜上へペロブスカイト薄膜の製膜を試みた。SrTiO_3,LaA1O_3薄膜を堆積させたところ、三次元的成長ではあるものの表面は綺麗な単結晶薄膜をエピタキシャル成長させることに成功した。
In order to control the high-quality TiO_2 thin film, the high-quality and high-quality thin film system is excited by the high-quality high-quality thin film. Nb thin film metallization type TiO_2 film on LAO substrate, film thickness, film resistance, temperature dependence, temperature dependence and temperature dependence. The temperature dependence is very high. The temperature dependence is very high. The electrical engineering department is trying to improve the temperature dependence of the electric power system. TiO_2 electrical power generation equipment (TiO_2) is responsible for the inter-station communication between the two parties and the agreement between the two is about the 3.2eV agreement. The intensity of light (ultraviolet light), the irradiation of thin film, the resistance to radiation, the intensity of light (ultraviolet light), the radiation of thin film, the intensity of light (ultraviolet light), film irradiation, radiation resistance, radiation, radiation and radiation. The results of the test results under the dark room under UV irradiation, the density of UV irradiation and the dependence of film thickness on the thickness of thin film, the mobility of thin film and the resistance rate of thick film are much higher than those of thick film. The power supply bureau is in the process of changing the status of the system, and it is necessary to make sure that the company is in a higher degree of mobility. The growth of high-quality TiO_2 on the substrate is sensitive to the growth of high-quality, high-quality and high-quality TiO_2 on the substrate. The growth of SrTiO_3,LaA1O_3 thin films is very important, and the growth of three-dimensional thin films is very important.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
アナターゼ型Nb,CoドープTiO_2薄膜の紫外光照射効果
紫外光照射对锐钛矿型Nb、Co掺杂TiO_2薄膜的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    雨宮有里;高野陽太郎;丸山里美;丸山里美;丸山里美;丸山里美;丸山 里美;丸山里美;Satomi Maruyama;丸山 里美;佐野章二(丸山里美・構成);丸山 里美;酒井隆史・篠原雅武・丸山里美訳;Satoshi Yamashita;Nozomi Tokoro;K. Okuma;S. Yamashita;S. Yamashita;S. Yamashita;T. Ishikawa;Satoshi Yamashita;Tetsushi Ishikawa;Satoshi Yamashita;山下智史;山下智史;山下智史;S. Yamashita;山下智史;山下智史;S. Yamashita;山下 智史;Satoshi Yamashita;高橋 圭
  • 通讯作者:
    高橋 圭
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  • 作者:
    南 和広;茂山翔太;高橋 圭;奥村万寿美;矢野仁康;山田 明;福井富穂;寄本 明;寺村康史;矢野秀樹;林 進;高山博史;日下倫子・菊池和美・長田久雄・上野佳代
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