Car‐Parrinello法の金属系への適用とLDFーSIC理論への応用

Car-Parrinello 方法在金属体系中的应用以及在 LDF-SIC 理论中的应用

• 批准号: 03247207
• 负责人: 藤原 毅夫
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03247207/
• 关键词: 第一原理分子動力学法; 半導体一金属界面; イオンクラスタ-ビ-ム法; 自己相互作用補正; 絶縁体バンドキャップ; 固体水素

(1)金属表面及び界面の安定構造:第一原理分子動力学法は主として半導体を念頭において開発されてきた。金属系では原子配置が動的に変化していく過程でフェルミ準位近傍の準位の組み換えがおこり、従来の方法は満足のいくものではなかった。本研究では熱力学ポテンシャルに対する変分原理の導入により、自然な形での金属系への拡張を行った。さらに、この方法をSi(001)面上に成長させたAl(110)溥膜の構造を調べることに用いた。Si(001)清浄表面に、イオンクラスタ-ビ-ムにより、遷移層なしでAl(110)面を成長させることができる。計算ではSi表面にAl原子を1個から序々に原子数を増やして原子を吸着させることを試みた。その結果は原子数を増やすと、Si表面のダイマ-構造は消滅し、むしろ理想表面に近づく振舞いを見ることができた。(2)強い相関のある系における電子状態:酸化物高温超伝導体など電子相関の強い系を取り扱うため、自己相互作用補正を取り入れたスピン密度汎関数法を開発している。自己相互作用補正を取り入れた全エネルギ-を最小化する変分原理に基づいて、電子波動関数を決める。電子状態計算の枠組としては、我々の開発した局在化マフィン・ティン軌道法を用いている。現在のところ、固体水素をモデル物質として計算を試みている。固体水素の場合は、自己相互作用補正を導入することにより、原子密度の関数として絶縁体反強磁性領域が広がり、又磁気モ-メントやバンドギャップは増大する。しかし、一方ではこの方法によって金属一絶縁体転移が正しく記述することが出来るかどうかは、これからの詳しい検討が必要である。

(1) the metal surface and interface of び の stability and structure: the first principle molecular dynamics method は main と し て semiconductor を thought に お い て open 発 さ れ て き た. Metal is で は atomic configuration が moving に variations change し て い く process で フ ェ ル ミ quasi a nearly alongside の quasi a み の group in え が お こ り, 従 の way は against foot の い く も の で は な か っ た. This study で は thermodynamics ポ テ ン シ ャ ル に す seaborne る - principle の import に よ り, natural な で の metal department へ の line company, zhang を っ た. Youdaoplaceholder0, <s:1> <s:1> method をSi(001) surface に growth させたAl(110) thin film <s:1> structure を adjustment べる べる とに とに use さらに た た. Si (001) surface に at qing dynasty, イ オ ン ク ラ ス タ ビ - ム に よ り, migration layer な し で Al (110) surface を growth さ せ る こ と が で き る. Calculate で は に Al Si surface atomic を 1 か ら sequence 々 に atomicity を raised や し て atomic を sorption さ せ る こ と を try み た. そ の results は atomicity を raised や す と, Si surface の ダ イ マ - tectonic は destroy し, む し ろ に nearly ideal surface づ く vibration dance い を see る こ と が で き た. (2) strong い phase masato の あ る department に お け る electronic state: acidification content high temperature super conductor 伝 な ど electronic phase masato resistance の い を take り Cha う た め, their interactions, corrected を take り れ た ス ピ ン density masato method を open 発 し て い る. Their interaction corrected を take り れ た full エ ネ ル ギ - を minimize す る - principle に base づ い て, electronic wave number of masato を definitely め る. State of electronic computing の 枠 group と し て は, I 々 の open 発 し た bureau in turn マ フ ィ ン · テ ィ ン を orbital method with い て い る. Now, <s:1> と を ろ ろ, solid hydroquinone をモデ, と て, calculate を try みて る る る. Solid water element は の occasions, their interactions, corrected を import す る こ と に よ り, atomic density の masato number と し て never try the strong magnetic field body が hiroo が り and magnetic 気 モ - メ ン ト や バ ン ド ギ ャ ッ プ は raised large す る. し か し, one party で は こ の way に よ っ て metal sculpture planning try body move が is し く account す る こ と が out る か ど う か は, こ れ か ら の detailed し い beg が 検 necessary で あ る.

项目成果

H.J.Nowak,O.k.Andersen,T.Fujiwara,O.Jepsen,and P.Vargas: "Electronic Structure Calculation for Amorphous Solids using the Recursion Method and Linear Muffin Tin Orbitals.Application to Fe80B20." Phys. Rev. B vol.44, no.8, pp.3577ー3598(1991). 44. 3577-3598

H.J.Nowak、O.k.Andersen、T.Fujiwara、O.Jepsen 和 P.Vargas：“使用递归方法和线性松饼锡轨道计算非晶固体的电子结构。在 Fe80B20 物理中的应用”，Rev. B vol.44，第 8 期，第 3577-3598 页（1991 年）44. 3577-3598。

T.Fujiwara and H.Tsunetsugu: "Electronic Structures and Transport of Quasicrystals in Quasicrystals: the States of the Art." World Scientific,Singapore,1991 edt.by P.J.Steinhardt and D.P.DiVincenzo. (1991)

T.Fujiwara 和 H.Tsunetsugu：“准晶体中准晶体的电子结构和输运：最先进的技术”。

H.Tsuge,M.Arai and T.Fujiwara: "Atomic Structure of Si(111)-(√<3>×√<3>)R30ﾟ -Al Studied by First Principle Molecular Dynamics" J.Appl.Phys.Jpn,Vol.30 no.9A,pp.L1583ーL1585(1991). 30. L1583-L1585 (1991)

H.Tsuge、M.Arai 和 T.Fujiwara：“通过第一原理分子动力学研究的 Si(111)-(√<3>×√<3>)R30ﾟ -Al 的原子结构”J.Appl.Phys.Jpn ，第 30 卷第 9A 期，第 L1583-L1585(1991) 30。L1583-L1585 (1991)。

T.Fujiwara and T.Yokokawa: "Universal pseudogap at Fermi energy in quasicrystals" Phys.Rev.Lett.vol.66,no.3,333ー336(1991). 66. 333-336 (1991)

T.Fujiwara 和 T.Yokokawa：“准晶体中费米能量的通用赝能隙”Phys.Rev.Lett.vol.66，no.3,333-336(1991) 66. 333-336 (1991)。

H.Tsunetsugu,T.Fujiwara,K.Ueda and T.Tokihiro: "Electronic properties of the Penrose lattice I.Energy spectrum and wave functions" Phys.Rev.B Vol.43,no.11 8879ー8891(1991). 43. 8879-8891 (1991)

H.Tsunetsugu、T.Fujiwara、K.Ueda 和 T.Tokihiro：“彭罗斯晶格的电子特性 I. 能谱和波函数”Phys.Rev.B Vol.43，no.11 8879-8891 (1991)。 43.8879-8891 (1991)