ホットウォール法で作製した有機薄膜・半導体超格子の走査型トンネル顕微鏡による観察

点击翻译按钮获取中文摘要

有機薄膜・半導体超格子のトンネル物性は興味が持たれており、本研究においてホットウォール法で作製した薄膜、多様な機能を発現する有機分子及び半導体超格子のSTM観察及びI-V測定を行った。有機薄膜においては直線分子である1,10-ジアミノデカンを基板に対して水平配向するように制御して作製した。基板は原子レベルでフラットなAu(111)を用いた。STM像ではAu基板のステップやグレイン境界部分でSTM像が乱れる部分があり、この部分を有機分子と断定し、I-V測定を行った。I-V測定ではAu基板とは明らかに異なる傾向が見られ、約2eV程度のエネルギーギャップが観察された。またバイアス負側で負性抵抗が数カ所観察された。しかしまだ個々の分子が見えていないので今後、個々の分子を観察して分子の配列や基などとこれらのI-V特性の関係を明らかにする必要がある。半導体超格子についてはZnSe-ZnS超格子についてSTM観察をおこなった。STM像は量子ポテンシャルの違いから生じる超格子の周期構造を観察できた。またn型にドープされたZnSe(100)についてI-V特性ではサンプルバイアスがマイナス側のみでトンネル電流が流れるダイオード特性を示した。またGaAs基板にホットウォール法で作製したZnSe(100)は方向性をもって成長していることを確認した。