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ホットウォール法で作製した有機薄膜・半導体超格子の走査型トンネル顕微鏡による観察

使用扫描隧道显微镜观察热壁法制造的有机薄膜和半导体超晶格

基本信息

批准号：
06236210
负责人：
佐々木彰
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06236210/
关键词：
有機薄膜半導体超格子ホットウォール法 STM I-V測定 ZnSe-ZnS

项目摘要

有機薄膜・半導体超格子のトンネル物性は興味が持たれており、本研究においてホットウォール法で作製した薄膜、多様な機能を発現する有機分子及び半導体超格子のSTM観察及びI-V測定を行った。有機薄膜においては直線分子である1,10-ジアミノデカンを基板に対して水平配向するように制御して作製した。基板は原子レベルでフラットなAu(111)を用いた。STM像ではAu基板のステップやグレイン境界部分でSTM像が乱れる部分があり、この部分を有機分子と断定し、I-V測定を行った。I-V測定ではAu基板とは明らかに異なる傾向が見られ、約2eV程度のエネルギーギャップが観察された。またバイアス負側で負性抵抗が数カ所観察された。しかしまだ個々の分子が見えていないので今後、個々の分子を観察して分子の配列や基などとこれらのI-V特性の関係を明らかにする必要がある。半導体超格子についてはZnSe-ZnS超格子についてSTM観察をおこなった。STM像は量子ポテンシャルの違いから生じる超格子の周期構造を観察できた。またn型にドープされたZnSe(100)についてI-V特性ではサンプルバイアスがマイナス側のみでトンネル電流が流れるダイオード特性を示した。またGaAs基板にホットウォール法で作製したZnSe(100)は方向性をもって成長していることを確認した。

Organic thin film/semiconductor superlattice physical properties and taste, this research method was carried out Preparation of thin films, multifunctional organic molecules, STM observation of semiconductor superlattice, and I-V measurement. Organic thin film linear molecules 1,10-ジアミノデカンをsubstrate horizontal alignment するようにcontrol して produced した. The substrate is made of atomic レベルでフラットなAu (111). The STM image is the Au substrate, the boundary part, the STM image, the random part, the organic molecule, the determination, and the I-V measurement. The I-V measurement of the Au substrate is based on the different tendency of the Au substrate and the degree of about 2 eV. The negative side of the negative side is the negative resistance of the negative side. From now on, each 々のmolecule will be divided The sub-arrangement is based on the relationship between the I-V characteristics and the necessary relationship. Semiconductor superlattice についてはZnSe-ZnS superlattice についてSTM観看をおこなった. STM is like the periodic structure of quantum ポテンシャルのviolation and superlattice. ZnSe (100) ZnSe (100) I-V characteristics of ZnSe(100)バイアスがマイナスlateral のみでトンネルcurrent flow れるダイオードcharacteristicsをshowした. The GaAs substrate was manufactured using the GaAs substrate method and the ZnSe (100) directionality was confirmed after the growth.