半導体超格子におけるプロッホ振動波束ダイナミクスと時間分解テラヘルツ電磁波放射

半导体超晶格中的普洛赫振荡波包动力学和时间分辨太赫兹电磁辐射

基本信息

  • 批准号:
    08J10779
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.38万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、GaAs/AlAs超格子を試料として、時間分解ポンプ・プローブ分光法により、様々な励起条件(試料への印加電圧およびポンプ光エネルギー)におけるブロッホ振動(BO)ダイナミクスを系統的に測定し、以下の研究成果を得た。1.ポンプ・プローブ分光法を用いた私の以前の研究から、ミニバンド破綻直後の包絡波動関数の弱局在条件において、振動数が従来のBO(v_<BO>=eFD/hの振動数,Fは電場強度、Dは超格子周期)の2倍の電場強度依存性(v_<2BO>=2eFD/h)を有する特異なBOが生じることを明らかにしてきた。その更なる展開として、ポンプ光エネルギー依存性の観点から、特異なBOと従来のBOのコヒーレントダイナミクスの違いに注目した。その結果、特異なBOを生じさせる量子干渉が、従来のBOのものと比べて、ポンプ光エネルギーに極めて敏感であることを見出した。電場変調反射分光法による光学遷移エネルギーの測定より、特異なBOは、様々なワニエ・シュタルク局在状態間の量子干渉が寄与していると予測されることから、得られた実験結果は、特異なBOを引き起こす量子干渉の重ね合わせの程度が、ポンプ光エネルギーにより大きく変化することに起因していると考察した。2.BOに関する研究では、重い正孔励起子によるシュタルク階段遷移に着目し、遷移エネルギーが高い軽い正孔励起子の寄与は考慮しないのが一般的であるが、ポンプ・プローブ分光、および、電場変調反射分光の測定結果から、軽い正孔励起子が関与するコヒーレント現象(シュタルク階段状態特有の励起子量子ビート)が、特定の励起条件において、BOと共存することを見出した。この励起子量子ビートの振動数は、電場強度に対して一定であるが、振動強度は、シュタルク階段遷移の遷移確率を反映して、電場強度で複雑に変化することを明らかにした。
In this study, GaAs/ Alas superlattice material analysis, time decomposition time analysis, optical emission spectroscopy, and excitation conditions (materials printing plus electrical equipment optical emission spectroscopy) were used to improve the performance of the vibration vibration system (BO). The following research results are satisfactory. 1. The spectroscopic method was used to determine the field strength dependence of BO (vastly controlled BTX) in terms of the number of vibrations, F field strength, D cell period, and so on. = 2eFD/h) there is a special BO to make sure that you don't know what to do. You need to make sure that you have a better understanding of your dependence, and that you have a special BO. You need to BO your attention. The results show that the BO is very sensitive to the quantum interference, the BO is sensitive, and the sensitivity is sensitive. The field reflectance spectrophotometry is used to determine the optical shift spectrum, the special BO, the transmission and the transmission of the quantum devices in the field, the results of the results are obtained, and the special BO leads to the determination of the weight of the quantum devices, the degree of agreement, the degree of agreement and the degree of agreement. The cause of the disease is the cause of the disease. In the 2.BO test, the results of the reflectance spectrometer test are compared with the results of the general test. The positive hole exciter is similar to that of the normal hole exciter, the specific excitation condition, the coexistence of the BO exciter, and so on. The number of vibrations, the intensity of the field, the frequency of the vibration and the accuracy rate of the quantum vibration of the exciter reflect the performance of the exciter and the field strength.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Pump-energy dependence of usual and unusual Bloch oscillations in a GaAs/AlAs superlattice
GaAs/AlAs 超晶格中常见和异常布洛赫振荡的泵浦能量依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    齋藤尚子;齋藤尚子;齋藤尚子;今須良一;N. Saitoh;N. Saitoh;R. Imasu;Takayuki Hasegawa
  • 通讯作者:
    Takayuki Hasegawa
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

長谷川 尊之其他文献

InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘ ルツ放射素子の研究( II)
InGaSb/InAs异质结高强度太赫兹辐射器件研究(二)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高木 善之;長谷川 尊之;小山 政俊;前元 利彦;佐々 誠彦
  • 通讯作者:
    佐々 誠彦
InP単結晶におけるテラヘルツ波放射の励起光強度依存性
InP单晶太赫兹波发射的激发光强度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川 尊之;増田 快晴;藤元 章;小山 政俊;佐々 誠彦
  • 通讯作者:
    佐々 誠彦
光パルスペアで励起された超高速過渡現象のテラヘルツ波放射特性
光脉冲对激发超快瞬态现象的太赫兹波发射特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川 尊之;小島 磨;金 大貴
  • 通讯作者:
    金 大貴
GaAs多層膜におけるテラヘルツ波放射に対する電場遮蔽効果
GaAs多层膜对太赫兹波辐射的电场屏蔽效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川 尊之;小島 磨;金 大貴
  • 通讯作者:
    金 大貴
Interactions between coherent optical phonons and excitonic quantum beats in GaAs/AlAs multiple quantum wells;strategy for enhancement of terahertz radiation from coherent optical phonons(invited)
GaAs/AlAs多量子阱中相干光学声子与激子量子拍的相互作用;相干光学声子太赫兹辐射增强策略(特邀)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川尊之;溝口幸司;中山正昭;長谷川 尊之;M.Nakayama and K.Mizoguchi;M.Nakayama
  • 通讯作者:
    M.Nakayama

長谷川 尊之的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('長谷川 尊之', 18)}}的其他基金

表面電場制御法に基づく超高速光励起過渡現象の解明と制御
基于表面电场控制方法的超快光激发瞬态现象的阐明与控制
  • 批准号:
    21K03435
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超格子ミニバンド構造における光励起キャリアの充填機構
超晶格微带结构中光生载流子的堆积机制
  • 批准号:
    21840043
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

相似海外基金

QUIQ: Quantum information processed at attosecond timescale in double quantum-dot qubits
QUIQ:在双量子点量子位中以阿秒时间尺度处理的量子信息
  • 批准号:
    EP/Z000807/1
  • 财政年份:
    2025
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Fellowship
CAREER: Nonlinear Dynamics of Exciton-Polarons in Two-Dimensional Metal Halides Probed by Quantum-Optical Methods
职业:通过量子光学方法探测二维金属卤化物中激子极化子的非线性动力学
  • 批准号:
    2338663
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
NSF-BSF: Many-Body Physics of Quantum Computation
NSF-BSF:量子计算的多体物理学
  • 批准号:
    2338819
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
CRII: SaTC: Reliable Hardware Architectures Against Side-Channel Attacks for Post-Quantum Cryptographic Algorithms
CRII:SaTC:针对后量子密码算法的侧通道攻击的可靠硬件架构
  • 批准号:
    2348261
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Conference: Arithmetic quantum field theory
会议:算术量子场论
  • 批准号:
    2400553
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Quantum Groups, W-algebras, and Brauer-Kauffmann Categories
量子群、W 代数和布劳尔-考夫曼范畴
  • 批准号:
    2401351
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Standard Grant
STTR Phase I: Innovating Micro-Light Emitting Diode (LED) Manufacturing with Novel Quantum Dot Micro-Patterning Technology
STTR 第一阶段:利用新型量子点微图案化技术创新微发光二极管 (LED) 制造
  • 批准号:
    2335283
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Emergent quantum phenomena in epitaxial thin films of topological Dirac semimetal and its heterostructures
职业:拓扑狄拉克半金属及其异质结构外延薄膜中的量子现象
  • 批准号:
    2339309
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
CAREER: Integrated sources of multiphoton entanglement for enabling quantum interconnects
职业:用于实现量子互连的多光子纠缠集成源
  • 批准号:
    2339469
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
CAREER: Next-generation Logic, Memory, and Agile Microwave Devices Enabled by Spin Phenomena in Emergent Quantum Materials
职业:由新兴量子材料中的自旋现象实现的下一代逻辑、存储器和敏捷微波器件
  • 批准号:
    2339723
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.38万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了