S及びSe処理InP,GaP表面のSTM、STSによる表面構造及び電子状態の研究

STM 和 STS 研究 S 和 Se 处理的 InP 和 GaP 表面的表面结构和电子态

• 批准号: 07225207
• 负责人: 福田 安生
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07225207/
• 关键词: 表面構造; STM; 化合物半導体; GaP; Si(111); 吸着

III-V族化合物半導体は高速及び光デバイスに応用されることが期待されているが、表面の不安定さから十分な応用がなされていないのが現状である。この問題を解決するためには表面の構造や電子状態を詳細に解明する必要がある。以上の観点から我々はGaP(001)-(4x2)表面及び硫黄で安定化された(1x2)表面の原子配列を走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて観察し、以下の点を明らかにした。(1)Ga安定化面の(4x2)構造は2つのGaダイマーと2つのGaダイマー欠損から成る。(2)このGa安定面にはc(8x4)構造も含まれる。(3)(1x2)面ではSはGaダイマーにブリッジ吸着し、[110]方向にSの欠損列が生じる。Si表面上に化合物半導体薄膜を形成し、ヘテロ接合デバイスを形成する技術が盛んに研究されている。このヘテロ接合においては界面の急峻性が最も重要であり、デバイス性能を左右する。従って、MOCVDではSi表面に化合物半導体の第1層を形成する機構を解明する必要がある。即ち、有機金属分子がどのサイトに吸着し、分解するのかを分子、原子レベルで解明する必要がある。これらの観点から、我々は燐源であるトリメチル燐(TMP)をSi(111)-(7x7)表面に吸着させ、STMを用いて以下の結果を得た。(1)ほとんどのTMPはセンターアドアトムサイトに吸着する。(2)他のサイトに吸着したTMPは上記サイトに移動する。

III-V compound semiconductors have high speed and high optical performance, and are expected to be used in the field of surface instability. The structure and electronic state of the surface are necessary to solve this problem. The above points are observed by the atomic alignment of GaP(001)-(4x2) surfaces and sulfur stabilized (1x2) surfaces using STM. The following points are shown. (1)Ga The stabilizing surface (4x2) structure is 2 Ga 2 Ga (2)The Ga stabilizer is composed of c(8x4) structures. (3)(1x2) plane S The technology of compound semiconductor thin film formation on Si surface is studied. The most important factor affecting the performance of the interface is the urgency of the interface. The mechanism for forming the first layer of compound semiconductor on Si surface by MOCVD is necessary. That is, organic metal molecules are adsorbed, decomposed, and dissolved. The following results were obtained from the adsorption of phosphorus (TMP) on Si(111)-(7x7) surfaces. (1)The TMP is the only one who can afford it. (2)He is the only one who has the right to move.

项目成果

Y.Fukuda et al.: "Highly site‐selective adsorption of trimethylphosphine on a Si(111)‐(7x7) surface studied by a scanning tunneling microscope" Surface Science. 341. L1061-L1064 (1995)

Y. Fukuda 等人：“通过扫描隧道显微镜研究三甲基膦在 Si(111)-(7x7) 表面上的高度位点选择性吸附”表面科学 341。L1061-L1064 (1995)

Y.Fukuda et al.: "Clean GaP(001)‐(4x2) and H2S‐treated (1x2)S surface structures studied by scanning tunneling microscopy" Appl. Phys. Lett.67. 1432-1434 (1995)

Y. Fukuda 等人：“通过扫描隧道显微镜研究清洁的 GaP(001)-(4x2) 和 H2S 处理的 (1x2)S 表面结构”Appl. 1432-1434 (1995)。