中赤外電場駆動時間分解STM技術の開拓とナノスケール科学への展開

中红外电场驱动时间分辨STM技术发展及其在纳米科学中的应用

基本信息

  • 批准号:
    23H00264
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 30.78万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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重川 秀実其他文献

時間分解走査トンネル分光法の開発
时间分辨扫描隧道光谱的发展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    武内 修,木榑 太一;藤巻 慶大;茂木 裕幸;嵐田 雄介;谷中 淳;吉田 昭二;重川 秀実
  • 通讯作者:
    重川 秀実
光とSTMを組み合わせること
结合光和 STM
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Yoshioka;I. Katayama;Y. Minami;M. Kitajima;S. Yoshida;H. Shigekawa;and J. Takeda;重川秀実;重川 秀実
  • 通讯作者:
    重川 秀実
WS2/Mo1-xWxS2単層ヘテロ接合単層ヘテロ接合の原子スケールSTS計測
WS2/Mo1-xWxS2 单层异质结的原子尺度 STS 测量 单层异质结
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    櫻田 龍司;吉田 昭二;小林 祐;茂木 裕幸;甲山 智規;宮田 耕充;武内 修;重川 秀実
  • 通讯作者:
    重川 秀実
光励起 多探針STMを用いたWS2/WSe2面内ヘテロ接合デバイス評価
使用光激励多探针 STM 评估 WS2/WSe2 面内异质结器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    茂木 裕幸;菊地 隆生;水野 良祐;和田 尚樹;宮田 耕充;吉田 昭二;武内 修;重川 秀実
  • 通讯作者:
    重川 秀実
大面積TMDC単層の作製と表面構造のSTM解析
大面积TMDC单层制备及表面结构STM分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐藤 智拓;伊藤 圭汰;茂木 裕幸;嵐田 雄介;吉田 昭二;武内 修;宮田 耕充;重川 秀実
  • 通讯作者:
    重川 秀実

重川 秀実的其他文献

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Nanoscale spectroscopy on photo-induced dynamics in materials by femtosecond time-resolved scanning tunneling microscopy
通过飞秒时间分辨扫描隧道显微镜研究材料光致动力学的纳米级光谱
  • 批准号:
    15H05734
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ナノスケール量子ダイナミックスの光STM実空間イメージング
纳米级量子动力学的光学 STM 实空间成像
  • 批准号:
    22246005
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
光励起STMを用いた単一原子、分子レベルでの物性研究
使用光激发STM进行单原子和分子水平的物理性质研究
  • 批准号:
    12305004
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
稀土配合物的分子/电子结构及反应性质
  • 批准号:
    08220210
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
NaOH処理による高ステージ層間化合物の形成と電子構造の研究
NaOH处理高级插层化合物的形成及电子结构研究
  • 批准号:
    07650029
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
稀土配合物的分子/电子结构及反应性质
  • 批准号:
    07230210
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
希土類錯体の分子・電子構造と反応特性
稀土配合物的分子/电子结构及反应性质
  • 批准号:
    06241209
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
化合物半導体表面/界面の原子・電子構造制御に関する研究
化合物半导体表面/界面原子电子结构控制研究
  • 批准号:
    06650352
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
S/Se処理による化合物半導体表面/界面の構造制御に関する研究
S/Se处理化合物半导体表面/界面结构控制研究
  • 批准号:
    04650257
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
STM/STSを用いたSーGaAs表面安定化機構の研究
利用STM/STS研究S-GaAs表面稳定机制
  • 批准号:
    03650003
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 30.78万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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