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希土類錯体の開発と希土含有フッ化物ガラス薄膜の合成・物性・構造

稀土配合物的开发及含稀土氟化物玻璃薄膜的合成、物理性能和结构

基本信息

批准号：
07230261
负责人：
河本洋二
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Kobe University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

フッ化物ガラスは、ここ十年来、光・電気機能性ガラスとして多数の研究が進められているが、いずれもバルク状ガラスについてのものである。これらの研究の結果として、このガラスを機能材料として実用に供する場合、薄膜状の形態のものが必要不可欠であることが明らかになってきた。ガラス薄膜は通常の「溶融法」では得ることは不可能に近い。それゆえ本研究ではフッ化物ガラス薄膜を作製する方法として「ゾル・ゲル-フッ化法」および「ECRマイクロ波プラズマCVD法」を開発し、フッ化物ガラス薄膜の創製を試み、作製された試料のキャラクタリゼーションを行う研究に行なった。ここでは「ゾル・ゲル-フッ化法」について報告する。本研究で開発した「ゾル・ゲル-フッ化法」とは次のような方法である。金属アルコレートを出発試薬とし、これを適当な溶媒に溶かし、ゾル溶液を得、このゾル溶液を加水分解することにより酸化物ゲルを作製する。そしてこの酸化物ゲルを適当なフッ化ガスによりフッ素化を行ない、フッ化物ガラスを得ることである。創製に取り組んだガラス系は代表的なフッ化物系ガラスであるフッ化ジルコニウム系ガラス、フッ化アルミニウム系ガラス、フッ化インジウム系ガラスであり、いずれの系にも光活性な希土類元素を含有させることにした。研究結果として次のような事項が明らかになった。(1)出発試薬の金属アルコレートとしてはn-ブトキシドあるいは2-メトキシエトキシドが最適であり、これを2-メトキシエタノールに溶解してゾル溶液を作製すること。(2)ゾル溶液のゲル化反応はアルゴン雰囲気中で、脱炭酸ガスの水蒸気で行なうこと。(3)フッ素化はNF_3をフッ化ガスとして用い、反応温度は250〜300℃が望ましいこと。(4)このような条件下で数〜数十μmの厚さの薄膜が創製可能であることなどを明らかにした。

In the past ten years, most of the researches on optical and electrical functional properties have been carried out. The results of this research are as follows: 1. The application of thin film materials A thin film is usually a "melting method." In this study, the method of preparing thin films of compounds was developed by using the ECR-CVD method, and the preparation of thin films of compounds was studied. This is the report of the " This study developed a new method called " The metal is dissolved in an appropriate solvent, dissolved in an appropriate solvent, and dissolved in an appropriate amount of water The acid must be removed from the solution. The invention is characterized in that: the compound system represented by the group "" is composed of the following components: " The results of this study are as follows: (1)The solution of the metal in the test solution is prepared by dissolving the solution in 2-D mode. (2)The solution is a mixture of carbon dioxide and carbon dioxide. (3)The temperature of the reaction is 250 ~ 300℃. (4)Under these conditions, thin films several tens of microns thick can be created.