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フォトニックバンド構造における量子化された光波・電子波間の相互作用の検証

光子能带结构中量子化光波与电子波相互作用的验证

基本信息

批准号：
08217207
负责人：
馬場俊彦
金额：
$ 1.22万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

フォトニックバンド構造は光学半波長周期をもつ多次元構造である.特に半導体円柱配列からなる2次元構造は,効果的な光波・電子波の相互作用と単純な製作プロセスが両立できることから超高効率発光素子への発展が期待されている.本研究では,同構造の最大の特長であるフォトニックバンドギャップという光の禁制帯の直接観測を目的とし,実験主体の研究を行った.製作には加工損傷や表面再結合の問題が少ないGaInAsP/InP半導体を採用し,これに電子ビーム描画と反応性イオンビームエッチングを施すことで円柱構造を形成した.配列ピッチは0.5〜1ミクロン,太さは0.2〜0.4ミクロン,高さは1.5ミクロンと極めてアスペクト比の大きい微細構造である.本研究ではメタン系ガスを用い,円柱の側壁荒さ2ナノメータ以下の平滑な円柱の形成に成功した.このときイオンの加速電圧を200Vと低めに設定することで,側壁の結晶損傷も数ナノメータ以下と小さくできた.フォトニックパンドギャップは2次元画内の透過スペクトルを測定することで評価できるが,上記のような微細構造に白色光を入射させることが困難である.そこで本研究では光源まで集積化した構造を製作し,光励起によるギャップの一括測定を実現した.その結果,フォトニックバンド計算から予測された波長領域において最大で-4dBの透過光の減衰を確認した.理論的には-20dBの減衰量が予測される.実験値が理論値に比べて不足するのは,柱の垂直性の不足によりフォトニック結晶の波長特性がぼやけてしまったためと考えられる.ただしギャップの周波数帯が理論と一致したことから,理論計算の妥当性が証明できた.これは同ギャップの初の実験的検証であり,物理的概念でしかなかったフォトニックバンド構造を発光素子として実現させる大きな足がかりが得られたものと考える.

フォトニックバンド structure は Optical half-wavelength period をもつ multi-dimensional structure である. Special に semiconductor pillar arrangement からなる 2-dimensional structure The effect of the interaction of light waves and electron waves is produced by the pure production of ultra-high-efficiency light elements. The biggest feature of the same structure is the light of the same structure. The purpose of the direct observation of the fabrication is the same, and the research of the main body is the same. The production is the same as the processing damage and the problem of surface rebonding. GaI nAsP/InP semiconductors are used, and the electronic components are used to describe the reactive properties of nAsP/InP semiconductors. The column structure is formed by した. The arrangement of ピッチは0.5～1ミクロン, Taiさは0.2~0.4ミクロン, and high さは1.5ミクロンと极めてアスペクト比の大きいMicrostructureである. This study uses ではメタンsystem ガスを, and the side wall of the pillar is wild さ2ナノメータ The following smooth and stable pillars are formed successfully. このときイオンのAccelerating voltage 200V and low めに setting することで, The crystal damage to the side wall is less than the number of とさくできた.フォトニックパンドギャップは 2-dimensional picture inside the スペIt is difficult to measure the することでevaluation of クトルを based on the fine structure of the のような and the incident of white light. This study is based on the integration of light sources, the construction of structures, and the measurement and results of light excitation. Theory The amount of attenuation of -20dB is predicted and the theoretical value is not enough, and the verticality of the column is not enough. The wave length characteristics of the フォトニック crystal are consistent with the wave number theory The proof of the validity of theoretical calculationsしかなかったフォトニックバンドstruct を発光真子として実appearsさせる大きな足がかりが得られたものと卡える.