絶縁体に埋め込まれた高配向性シリコン系量子微結晶の作製制御
嵌入绝缘体中的高度定向硅基量子微晶的制造控制
基本信息
- 批准号:08247208
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1996
- 资助国家:日本
- 起止时间:1996 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
エピタキシ-技術を応用したSi量子微結晶の作製制御によって、等方的単電子トンネルリングモデルの構造限界の克服、連鎖トンネル接合系への拡張などを目標に、規底構造のSi微結晶を空間的に秩序をもって配向させることを中心課題に置いた。従来の分散法と異なり、エピタキシ-を利用した微結晶作製は、国内外を問わず例がなく画期的な試みである。エピ成長時に低速酸素イオン(O^+)注入することでSIMOX形成過程を利用したエピタキシャルSi/SiO2対基本構造を作製した。最上層を含めすべてのSiは完全な結晶である。Si層の基板配向性を利用して注入条件を変調すると、酸素原子のランダム酸化によってSi層の連続性が失われる結果、サイズ10nm以下の高配向性Si量子微結晶が形成された。分散系微結晶とは全く異なり、ほぼ完全に(100)配向した微粒子の層状配列が実現する。また、サイズ分布がSi膜厚で制限される事実を制御性の向上に利用した。Si/SiO2界面は化学量論組成、原子レベルの平坦性を有していることが判った。微粒子からは室温可視光発光が得られている。一方、Si/SiO2対基本構造の屈折率ステップを巧みに利用して再エピ対応Bragg反射器を実現した。90%以上の反射率が容易に達成できた。再エピが可能なことからSi系光素子応用への有効性が示された。また、同構造は高度絶縁層としての役割も担っており、さらにはSi微粒子への2次元電極としても利用できるなどその拡張性は極めて広いと考える。
エ ピ タ キ シ - technology を 応 with し た Si quantum system of the micro crystallization の cropping royal に よ っ て, such as party 単 electronic ト ン ネ ル リ ン グ モ デ ル の structure limit の overcome, chain ト ン ネ ル joint department へ の company, zhang な ど を target に, rules of bottom structure の micro crystalline Si を space に order を も っ て match to さ せ る こ と を central に buy い た. 従 to の dispersion と different な り, エ ピ タ キ シ - を using し た は the micro crystallization cropping, both at home and abroad を asked わ ず example が な く try painting period な み で あ る. エ ピ に acid at low speed when the grain growth イ オ ン (O ^ +) injection す る こ と で formation process of SIMOX を using し た エ ピ タ キ シ ャ ル Si/SiO2 system of basic structure を seaborne し た. The topmost layer を contains めすべて <s:1> Si な completely な crystals である. Si layer の substrate with tropism を using し て を injection conditions - adjustable す る と, acid element atoms の ラ ン ダ ム acidification に よ っ て Si layer の even 続 sex が lost わ れ る results, サ イ ズ below 10 nm の high crystallization が microbeads tropism Si quantum form さ れ た. Dispersed microcrystalline と く complete く isomorphic な <e:1>, ほぼ complete に(100) coordination <s:1> た microparticle <s:1> layered coordination が observed する. ま た, サ イ ズ distribution が Si film thickness limitations で さ れ る things be を system royal の に up using し た. The composition of the Si/SiO2 interface in terms of chemical quantity, the レベ of atoms and the <s:1> flatness を are judged by <s:1> て る る とが とが った. Micro-particles る ら visible light emission at room temperature が られて る る. A basic structure, Si/SiO2 polices の inflectional rate ス テ ッ プ を qiao み に using し て again エ ピ 応 seaborne Bragg reflector を be presently し た. A <s:1> reflectance of over 90% が makes it easy to に achieve で た た. It is possible that エピが な と と ら らSi leptomenons 応 are effective が by へ <s:1> が to show された. ま た, syntectonic は layer height never try と し て の service cut も bear っ て お り, さ ら に は Si particles へ の 2 dimensional electrode と し て も using で き る な ど そ の company, extensional は extremely め て hiroo い と exam え る.
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Yukari Ishikawa: "Epitaxy-ready Si/SiO2 Bragg reflectors by multiple separation-by-implanted-oxygen" Appl.Phys.Lett.69(25). 3881-3883 (1996)
Yukari Ishikawa:“通过注入氧多重分离实现外延就绪的 Si/SiO2 布拉格反射器”Appl.Phys.Lett.69(25)。
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Yukari Ishikawa: "Stratified suspension of highly ordered SI nanoparticles in SiO2 created by Si MBE with oxygen co-implantation" J.Cryst.Growth. (掲載予定). (1997)
Yukari Ishikawa:“通过 Si MBE 与氧共植入在 SiO2 中形成高度有序的 SI 纳米颗粒的分层悬浮液”J.Cryst.Growth(即将出版)。
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Yukari Ishikawa: "Highly oriented Si nanoparticles in SiO2 created by Si molecular beam epitaxy with oxygen implantation" Thin Solid Films. (掲載予定). (1997)
Yukari Ishikawa:“通过硅分子束外延与氧注入制造的 SiO2 中的高度取向的硅纳米粒子”薄固体薄膜(即将出版)。
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- 作者:
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Yukari Ishikawa: "Fabrication of highly oriented Si:SiO2 nanoparticles using low energy oxygen ion implartation during Si molecular beam epitaxy" Appl.Phys.Lett.68(16). 2249-2251 (1996)
Yukari Ishikawa:“在硅分子束外延过程中使用低能氧离子注入制造高度定向的 Si:SiO2 纳米粒子”Appl.Phys.Lett.68(16)。
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Yukari Ishikawa: "Creation of highly-ordered Si nanocrystal dots suspended in SiO2 by molecular beam epitaxy with low energy oxygen implantation" Jpn.J.Appl.Phys.(掲載予定). (1997)
Yukari Ishikawa:“通过低能氧注入的分子束外延法制备悬浮在 SiO2 中的高度有序的硅纳米晶体点”Jpn.J.Appl.Phys(即将出版)。
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