有機-有機ヘテロ構造形成過程における均質エピタキシャル層成長制御

有机-有机异质结构形成过程中的均质外延层生长控制

• 批准号: 09217234
• 负责人: 星野 聡孝
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09217234/
• 关键词: エピタキシ-; 成長様式; 結晶成長; エピタキシャル成長; 格子整合; ヘテロ界面

分子系超格子構造を作製するための一手段である有機分子線エピタキシ-法は,結晶成長におけるエピタキシ-現象を利用したものであり,より望ましい特性を備えたヘテロ構造を作製する手段として有力なものの一つと考えられる.しかしながら,有機物に関するエピタキシ-現象については未だ十分に理解されたとは言えず,これをヘテロ構造の作製に用いるためには,更なる基礎研究が必要である.そのため,以下の2点について重点的に研究を行った.1 分子-基板間相互作用計算の解析的取り扱いエピタキシャル配向の予測を目指し,分子-基板間相互作用の解析的評価を行う方法を検討した.特に,基板結晶の周期性に着目し,分子-基板間の相互作用をフーリエ級数展開することにより,このフーリエ係数を解析的に表現することを行った.これにより,従来のようなクラスターを基にした相互作用計算を越えた,より正確で速い計算が可能となることが明らかとなった.これを実際の系に適用し,perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) のアルカリハライド基板上でのエピタキシ-,縮合多環芳香族炭化水素結晶間のエピタキシ-を説明できることが明らかとなった.2 基板温度が薄膜成長様式に与える影響有機エピタキシャル薄膜成長様式の基板温度依存性を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた.グラファイトを基板としてPTCDA薄膜を成長させた場合,基板温度が低い場合にはFrank-van der Merwe型の成長するが,基板温度が高い場合にはいわゆるStranski-Krastanov型の成長をすることが明らかとなった.薄膜の結晶構造を透過型電子線回折法により調べた結果,成長に伴う格子歪み緩和の影響が示唆された.

A method for manufacturing molecular superlattice structure is to use organic molecular wires, crystal growth and other phenomena to prepare for the formation of superlattice structure. It is necessary to conduct basic research on organic matter and its related phenomena. 1. Selection of analytical methods for molecular-substrate interaction calculation; 2. Prediction of molecular alignment; 3. Evaluation of analytical methods for molecular-substrate interaction. In particular, the periodic effect of substrate crystallization, molecule-substrate interaction, such as the development of a series of factors, the analysis of the performance of the line. The calculation of the interaction between the two groups is more accurate, and the calculation of the speed is more accurate. In this case,perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic anhydride (PTCDA) is used in the production of perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic anhydride. 2. Substrate Temperature and Effect of Organic Polycyclic Aromatic Carbide on Substrate Temperature Dependence of Organic Polycyclic Aromatic Carbide Film Growth Equation Using Atomic Force Micromirror (AFM) When PTCDA thin films are grown on substrates, Frank-van der Merwe type growth occurs when substrate temperatures are low, and Stranski-Krastanov type growth occurs when substrate temperatures are high. The crystal structure of thin films is characterized by the influence of lattice distortion relaxation on the growth of thin films.