人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

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平成16年度を本研究では、平成11年度〜平成15年度に行った特定領域研究「人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用」の成果とりまとめを行うための期間とした。本特定領域研究では、以下の研究項目に対応して3つの研究計画班を構成するとともに、研究推進と研究の方向付けを行うため、全体を統括するための総括班を設置し、研究を進めた。研究項目A班 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(代表者 白木(東大))研究項目B班 人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(代表者 安田(名古屋大))研究項目C班 人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(代表者 室田(東北大))平成16年度には、これまでの5年間にわたる研究機関で得られた成果を統括し、かつそれを国際的に発信するために、国際ワークショップ「3^<rd> International Workshop on New Group IV(Si-Ge-C)Semiconductors : Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices」を平成16年10月12日〜13日に仙台・東北大学において開催した。本ワークショップでは、本特定領域研究の研究分担者の発表のみならず、海外からの招待講演者、および、本枅究に深く関係する企業および研究機関の研究者が発表を行った。このワークショップにより、本特定領域研究において得られた成果を公表するとともに、それらが国際的な研究レベルにおいても重要な成果であることを確認することができた。これらの成果は、本年度に取りまとめた成果報告書をもってあらためて報告を行う予定である。