人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用
人造IV族半导体物理性质的控制及其在超高速光学和电子器件中的应用
基本信息
- 批准号:11232101
- 负责人:
- 金额:$ 8.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1999
- 资助国家:日本
- 起止时间:1999 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
平成16年度を本研究では、平成11年度〜平成15年度に行った特定領域研究「人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用」の成果とりまとめを行うための期間とした。本特定領域研究では、以下の研究項目に対応して3つの研究計画班を構成するとともに、研究推進と研究の方向付けを行うため、全体を統括するための総括班を設置し、研究を進めた。研究項目A班 人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(代表者 白木(東大))研究項目B班 人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(代表者 安田(名古屋大))研究項目C班 人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(代表者 室田(東北大))平成16年度には、これまでの5年間にわたる研究機関で得られた成果を統括し、かつそれを国際的に発信するために、国際ワークショップ「3^<rd> International Workshop on New Group IV(Si-Ge-C)Semiconductors : Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices」を平成16年10月12日〜13日に仙台・東北大学において開催した。本ワークショップでは、本特定領域研究の研究分担者の発表のみならず、海外からの招待講演者、および、本枅究に深く関係する企業および研究機関の研究者が発表を行った。このワークショップにより、本特定領域研究において得られた成果を公表するとともに、それらが国際的な研究レベルにおいても重要な成果であることを確認することができた。これらの成果は、本年度に取りまとめた成果報告書をもってあらためて報告を行う予定である。
In 2016, this research was conducted in the specific field of "Physical Properties Control of Artificial Group IV Semiconductors for Ultra-High Speed Optical and Electronic Applications". The following research projects in this specific field are related to the structure of the research program, the direction of research, the overall planning, the establishment of the research program, and the progress of research. Research Project Class A Formation of Artificial Group IV Semiconductors and Control of Optical and Electronic Properties (Representative Shiraki (Toda)) Research Project Class B Development of Fine Structure of Artificial Group IV Semiconductor Particles (Representative Yasuda (Nagoya University)) Research Project Class C Development of Ultra-high Speed Optical and Electronic Devices for the Application of Artificial Group IV Semiconductor Fine Structures (Representative Muroda (Tohoku University)) Research Institute has achieved results in the past five years in Heisei 16, and has been working internationally for the development of international information<rd>. Semiconductors : Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices "was held at Sendai Tohoku University on October 12 - 13, 2016. The Company is responsible for the development of research collaborators in this specific field, overseas guest speakers, enterprises with deep relationships in this field, and researchers in research institutions. The results of this field-specific research are publicly available and internationally recognized. This year's results report is scheduled.
项目成果
期刊论文数量(75)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Sawano, Y.Hirose, Y.Ozawa, S.Koh, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shirki: "Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 42. L735-L737 (2003)
K.Sawano、Y.Hirose、Y.Ozawa、S.Koh、J.Yamanaka、K.Nakakawa、T.Hattori、Y.Shirki:“通过预离子注入硅衬底增强 SiGe 薄层的应变弛豫
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda: "Contact Resistivity between Tungsten and Impurity (P and B)-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Layer"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 679-683 (2003)
J.Noh、M.Sakuraba、J.Murota、S.Zaima、Y.Yasuda:“钨与杂质(P 和 B)掺杂 Si_<1-x-y>Ge_xC_y 外延层之间的接触电阻率”Appl.Surf.Sci。 212・213。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Usami N, Azuma Y, Ujihara T, Sazaki C, Miyashita S, Murakami Y, Nakajima K: "Growth of SixGe1-x (x=0.15) bulk crystal with uniform composition utilizing in situ monitoring of the crystal-solution interface"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 40(6A). 4141
Usami N、Azuma Y、Ujihara T、Sazaki C、Miyashita S、Murakami Y、Nakajima K:“利用晶体溶液界面的原位监测,生长具有均匀成分的 SixGe1-x (x=0.15) 块状晶体”日本期刊
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Kawaguchi: "Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum well on Si 1-yGey virtual substrates and their optical properties"Appl.Phys.Lett.. (発表予定).
K. Kawaguchi:“Si 1-yGey 虚拟衬底上应变平衡 Si/Si1-xGex 多量子阱的制造及其光学特性”Appl.Phys.Lett..(待提交)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H. Takamiya: "Drastic modification of the growth mode of Ge quantum dots on Si by using boron adlayer"Thin Solid Films. (発表予定).
H. Takamiya:“通过使用硼吸附层对 Si 上 Ge 量子点的生长模式进行彻底修改”固体薄膜(即将公布)。
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白木 靖寛其他文献
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