人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

人造IV族半导体物理性质的控制及其在超高速光学和电子器件中的应用

基本信息

批准号：
11232101
负责人：
白木靖寛
金额：
$ 8.9万
依托单位：
Musashi Institute of Technology (2004)The University of Tokyo (1999-2003)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2004
项目状态：
已结题

项目摘要

平成16年度を本研究では、平成11年度〜平成15年度に行った特定領域研究「人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用」の成果とりまとめを行うための期間とした。本特定領域研究では、以下の研究項目に対応して3つの研究計画班を構成するとともに、研究推進と研究の方向付けを行うため、全体を統括するための総括班を設置し、研究を進めた。研究項目A班人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(代表者白木(東大))研究項目B班人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(代表者安田(名古屋大))研究項目C班人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(代表者室田(東北大))平成16年度には、これまでの5年間にわたる研究機関で得られた成果を統括し、かつそれを国際的に発信するために、国際ワークショップ「3^<rd> International Workshop on New Group IV(Si-Ge-C)Semiconductors : Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices」を平成16年10月12日〜13日に仙台・東北大学において開催した。本ワークショップでは、本特定領域研究の研究分担者の発表のみならず、海外からの招待講演者、および、本枅究に深く関係する企業および研究機関の研究者が発表を行った。このワークショップにより、本特定領域研究において得られた成果を公表するとともに、それらが国際的な研究レベルにおいても重要な成果であることを確認することができた。これらの成果は、本年度に取りまとめた成果報告書をもってあらためて報告を行う予定である。

这项研究是针对2004财年设定的，旨在总结2009财年和2003财年之间进行的特定现场研究的结果，“控制人造组IV半导体的物理特性及其对超高速度光学和电子设备的应用。”在这项特定的现场研究中，成立了三个研究计划团队以适应以下研究项目，并建立了一个总体以监督整体研究，以促进研究和直接研究。研究项目A：形成人造组半导体和光学和电子特性的控制（东京大学代表（代表））研究项目B：用于制造人工IV半导体的原子精度元件过程的开发2004年，半导体超细结构（代表Murota（Tohoku University）），为了监督和分享过去五年在研究机构获得的结果，我们一直在研究国际研讨会“ 3^<RD>国际研讨会” 2004年10月12日至13日在仙台的Tohoku大学。在本研讨会上，不仅由这项特定实地研究的研究人员进行了演讲，而且还邀请了来自海外的发言人以及来自公司和研究机构的研究人员，这些研究人员和研究机构深深地参与了这项研究。该研讨会使我们能够发布在这一特定研究领域中获得的结果，并确认这些结果在国际研究层面上是重要的结果。这些结果将在今年汇编的结果报告中再次报告。