近接場光を用いたナノ構造機能制御に関する研究

近场光纳米结构功能控制研究

• 批准号: 12131209
• 负责人: 伊藤 昌文
• 金额: $ 12.1万
• 依托单位: Wakayama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12131209/
• 关键词: マイクロマシニング; 電子ビーム励起プラズマ; 高速エッチング; 近接場光; 近接場露光; 超解像近接場構造; Super-RENS; ジアリールエテン; 近接場光学; リソグラフィ; プラズマエッチング; 高速描画; ナノマシニング; リングラフィ; 光描画; 超回折像近接場構造; フォトクロミック; 亜鉛; インジウム; ナノメートル加工

1.パルス変調電子ビーム励起プラズマを用いた新規マイクロマシニングプロセス本研究では光ファイバや非平面の絶縁体材料等の微細加工を可能とする新規マイクロマシニングプロセスを開発した。反応性イオンエッチングに必要とされる自己バイアスのための外部電源なしに、SiO_2など絶縁体の非平面材料に対するエッチングを行うプロセスとして、パルス変調型電子ビーム励起プラズマを用いたエッチングプロセスを提案した。このパルス変調型EBEPを用いることで、従来のDC制御EBEPを用いたエッチングプロセスにおける問題点であった均一性や基板に対する熱ダメージなどが解消でき、SiO_2エッチングにおいて463nm/minという非常に高速で異方性を有したエッチングが実現できた。このSiO_2エッチングレートは従来法である高速原子ビームエッチングプロセスやイオンビームエッチングプロセスと比較すると、数十倍以上である。これらの結果から、我々が提案したパルス変調型EBEPを用いたプロセスは微小な光学素子の組み込んだマイクロマシンなどの製造において、非常に実用的な新たな絶縁体エッチングプロセスとして期待できる。2.ジアリールエテンを用いた超解像近接場構造による近接場描画本研究では半導体製造技術における次世代露光技術として、超解像近接場構造による近接場描画技術の開発を行った。従来法ではサーモクロミック層となる部分にジアリールエテンを用いた新規近接場光描画用Super-RENSの開発を試みた。波長442nmのHe-Cdレーザの回折限界は604nmであるが、このSuper-RENSを用いることにより線幅450nmの描画に成功した。またジアリールエテンをスピンコートにより保護膜層上に直接形成可能であることから、従来法で問題となっていたレジストとの密着性や熱ダメージの問題を解決できたと考えられる。

1. In this study, the use of non-planar bulk materials and other micro-machining systems may affect the performance of new regulations. It is necessary to pay attention to the use of external power sources, SiO_2 devices, non-planar materials, and so on. In order to improve the performance of the EBEP, the EBEP is controlled by the DC. There is a problem with the uniformity of the substrate, the substrate, the elimination, the high speed, the high speed. In the case of high-speed atoms, such as Sio _ 2, atoms, atoms and atoms. According to the results, we propose that the new EBEP system should be used to improve the performance of the optical system, which is very useful in the system. two。 In this study, the technology of semi-solid manufacturing technology, the next generation exposure technology, and the development of near-field drawing technology are introduced. In this way, you can use the new rule of proximity optical tracing to start a trial with Super-RENS. The wave length of the 442nm He-Cd filter is back to the limit of the 604nm spectrum, and the wave length Super-RENS is depicted as successful by using the 450nm image of the wave length. In order to improve the safety of the protection film, it is possible that there is a problem. The problem is that there is a problem of high tightness.

项目成果

M.Ito, K.Takeda, T.Shiina, Y.Okamura, H.Nagai, M.Hori, T.Goto: "Silicon oxide etching process employing an electron beam excited plasma"Journal of vacuum science and technology. B22・2. 543-547 (2004)

M.Ito、K.Takeda、T.Shiina、Y.Okamura、H.Nagai、M.Hori、T.Goto：“采用电子束激发等离子体的氧化硅蚀刻工艺”真空科学技术杂志 B22・2。 .543-547 (2004)

M.Ito et al.: "Diagnostics of electron beam excited CF_4/Ar plasmas for silicon oxide etching"Proceedings of 16^<th> International Symposium on Plasma Chemistry. 364. 367 (2003)

M.Ito等人：“用于氧化硅蚀刻的电子束激发CF_4/Ar等离子体的诊断”第16届国际等离子体化学研讨会论文集。

M.Ito et al.: "Silicon oxide etching process using electron beam excited CF_4/Ar plasmas"Conference proceedings of Joint conference 16^<th> European conference on atomic & molecular physics on ionized gases/5^<th> International conference on reactive plas

M.Ito 等：“使用电子束激发 CF_4/Ar 等离子体的氧化硅蚀刻工艺”第 16 届欧洲原子会议联合会议会议论文集

飯田 清二郎, 椎名 達雄, 伊藤 昌文, 岡村 康行: "ホッピングモードを用いた走査型近接場顕微鏡の作製"2001年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集. 219-219 (2001)

Seijiro Iida、Tatsuo Shiina、Masafumi Ito、Yasuyuki Okamura：“使用跳跃模式制作扫描近场显微镜”2001 年日本精密工程学会秋季会议学术会议记录 219-219 (2001)。

M.Ito et al.: "Silicon dioxide etching processes employing electron beam excited plasma"Abstract of American Vacuum Society 50^<th> International Symposium. PS-TuP1 (2003)

M.Ito 等人：“采用电子束激发等离子体的二氧化硅蚀刻工艺”美国真空学会第 50 届国际研讨会摘要。