MOCVD法による高品質強誘電体薄膜の作製と物性評価

点击翻译按钮获取中文摘要

当該年度は、メモリ素子の低電圧駆動や高集積化を目指した強誘電体PZT極薄膜や自己集合ナノ構造について研究を進めた結果、以下の成果が得られた。1.原子レベルで平坦化したSrTiO_3基板上に、平坦なテラスとステップ構造を有するSrRuO_3下部電極膜を得ることができた。また、SrRuO_3の組成によりテラス幅とステップ高さが変化することが分かった。この、SrRuO_3/SrTiO_3基板上に厚さ15-20nmという薄さながら強誘電性を示すPZT極薄膜を再現性良く得ることができた。2.SrTiO_3基板上へSrTi_xRu_<1-x>O_3薄膜の成長を行った結果、非常に平坦なテラス(最大高低差:0.4nm)とステップ構造を有する薄膜が得られ、PZT極薄膜成長用下部電極として有望であること分かった。3.圧電応答顕微鏡法によりPZT極薄膜の圧電性、強誘電性を調べたところ、膜厚10nm以下のPZT極薄膜が強誘電性を示すことが観察された。4.MOCVD法により強誘電体PbTiO_3やPZT自己集合ナノ島構造をSrTiO_3及びMgO単結晶基板上に形成することができた。Pt(111)/SrTiO_3(111)上にはピラミッド状,Pt(110)/SrTiO_3(110)上には三角柱状、Pt(100)/SrTiO_3(100)上にはシート状のナノ構造が形成された。5.各々のナノ構造の形状や面内方位は揃っており、エピタキシャル関係を利用することで、形状や方位などの構造制御が行えることが分かった。6.各基板上に得られたナノ構造を圧電応答顕微鏡法により調べたところ、得られたナノ構造が圧電性、強誘電性を有することが分かった。7.MOCVD用新規Ir原料であるIr(EtCp)(CHD)を用いIr膜の作製・評価を行なったところ、PZTキャパシタ電極用原料として優れた性質を持つことが分かった。