超臨界流体を利用した配線形成技術の研究

超临界流体布线形成技术研究

基本信息

  • 批准号:
    14040210
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

超臨界CO2は,液体なみの高密度,気体なみの高拡散性・低粘性,さらにゼロ表面張力や溶媒能を兼ね備えた,特異な流体である.安定,安価,無害,低コストであり,リサイクル性もあることから,食品産業などですでに工業的に利用されている.半導体製造プロセスでも,洗浄・乾燥工程や,低誘電率薄膜の作製工程で,超臨界CO2の利用が試みられている.この超臨界CO2を金属堆積のための反応場として用い,有機金属を溶解させ,ナノ空間構造内にCu堆積加工が可能であることを実証した.膜は(111)配向しており,信頼性の高い膜質であることを確認した.比抵抗2.15μΩ.cmと十分低い値が得られた.さらに,きわめて高い反射率が得られた。堆積は, Fe,Au,WN,TiN,TaNなど導電性下地上に優先的に起こった。原料のCuへの転換率はきわめて高いことも判明した.化学気相蒸着法にくらべて100℃以上のプロセス低温化が可能であることを確認した.このような優れた特長が、CO2の溶媒能に由来することを,超臨界Ar流体との比較検討を行うことで,確認した.
Supercritical CO2, liquid temperature, high density, high dispersion and low viscosity, high surface force, solvent energy and equipment, especially fluid. Stable, safe, harmless, low-cost, safe, safe and safe. Semiconductors are used to make hot metal, dry engineering, low-voltage thin film engineering, and ultra-thin-film CO2. Beyond the boundary of CO2, the anti-market of metal reactors is in use, the organic metal is dissolved, and the processing of internal Cu reactors in air space is possible. The membrane (111) is in the direction of the device, and the information is high. It is much lower than the resistance to 2.15 μ Ω. Cm. The reflectivity of high reflectivity is very high. The Fe,Au,WN,TiN,TaN engine is the first to start the electrical equipment in the ground floor. The raw material is Cu, and the rate is very high. Chemical phase steaming method may be used to confirm the temperature above 100 ℃. The quality of the CO2 solvent is very high, and the performance of the Ar fluid is much higher than that of the solvent.

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
E.Kondoh, K.Kato: "Characteristics of copper deposition in a supercritical C02 fluid"Microelectronic Engineering. 64. 295 (2002)
E.Kondoh、K.Kato:“超临界CO 2 流体中铜沉积的特性”微电子工程。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
近藤英一: "超臨界CO2中でのCu薄膜の堆積特性"第63回応用物理学会学術講演会講演予稿集. 760 (2002)
Eiichi Kondo:“超临界 CO2 中铜薄膜的沉积特性”第 63 届日本应用物理学会年会论文集 760(2002 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
E.Kondoh: "Copper Deposition Characteristics from a Supercritical CO2 Fluid"Advanced Metallization Conference 2002, Sep. 29-Oct. 1, San Diego,2002.
E.Kondoh:“超临界 CO2 流体的铜沉积特性”2002 年高级金属化会议,9 月 29 日至 10 月。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
近藤英一: "超臨界流体を利用した配線形成技術"応用物理学会シリコンテクノロジー分科会電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会. 49. 47 (2003)
近藤英一:“使用超临界流体的布线形成技术”应用物理学会硅技术分委员会电子、信息和通信工程师研究所硅材料和器件研究组。 49. 47 (2003)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
近藤英一: "超臨界CO2中でのCu薄膜の堆積"LSI配線における原子輸送・応力問題第8回研究会(応用物理学会表面分科会主催),2002年7月. (2002)
Eiichi Kondo:“超临界 CO2 中铜薄膜的沉积”第 8 届 LSI 互连原子传输和应力问题研究会议(由日本应用物理学会表面小组委员会主办),2002 年 7 月。(2002 年)
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