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超高密度流体中での動的溶解度制御を利用した形状敏感型自己整合ナノプロセス

在超稠密流体中使用动态溶解度控制的形状敏感自对准纳米工艺

基本信息

批准号：
19026005
负责人：
近藤英一
金额：
$ 1.6万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19026005/
关键词：
機能性高密度流体超臨界流形状敏感多層吸着凝集選択堆積

项目摘要

本研究は,機能性超高密度流体中(超臨界流体や亜臨界流体など)で実現する「形状敏感」プロセス(凹部へ選択的に物質を堆積、形成する技術)により,スケール限界なくナノ構造体の作製を可能足らしめる堆積技術を実現することを目的とするものである。高密度流体中では堆積原料の多層吸着とそれに伴う毛管凝集を利用するもので微細凹構造が自己整合・選択的に埋め込まれる。下地の触媒作用を利用するのではないため,原理的にスケール限界前工程パターニングが簡単である。形状敏感特性を検討するため,TaNコート下地に加え,あえてパターンつき酸化膜下地を用いた。パターンは集積回路配線用テストパターンで,80〜300nm幅のヴィア/トレンチである。実験条件は,圧力約20MPa,温度210〜250℃,時間8〜30min,原料はCu(dibm)225mg/cc,水素添加圧力(有の場合)は0.8MPaである。Cu(dibm)2の融点以上でかつCu析出反応が起きないよう155℃まで加熱した後,降温・除圧したところ,ヴィア孔のコーナー部にのみ凝集・堆集物が確認された。次に反応開始温度以上まで昇温したところ,ヴィア/トレンチ内に優先的に堆積堆積が生ずることを確認できた。表面の堆積物はヴィア孔内の凝集・充填物を基点として成長した。さらに,原料の導入導入量を多くすることで,埋め込み性が向上することを確認した。以上から,前記した充填メカニズムを概略確認することができた。XTEM-EDX分析ではヴィア内のCuは単結晶であり,底コーナー部の残渣様の物質はヴィアCu部に比べてC,Oなどの有機成分を多く含んでいることがわかった。本特定領域研究においては,この凝集機構を堆積温度の動的変化を利用した微細構造内にCuを選択的に成長させ,その条件,ならびにメカニズムの検討を行った。メカニズムの検討は概略完了した。

This research aims to realize the shape-sensitive technology for the fabrication of functional ultra-high density fluids (supercritical fluids and critical fluids). Multilayer adsorption of accumulated raw materials in high density fluids is accompanied by capillary aggregation, and micro-concave structures are used for self-integration and selection. The use of catalyst in the earth is not easy, but the principle of catalyst is simple. Shape sensitive characteristics are discussed below,TaN is added below, and the acid film is used below. For integrated circuit wiring, 80 ~ 300nm amplitude is used. Conditions: pressure about 20MPa, temperature 210 ~ 250℃, time 8 ~ 30min, raw material Cu(dibm)225mg/cc, water addition pressure (if applicable) 0.8 MPa. Cu(dibm)2 precipitates above the melting point. After heating at 155℃, the temperature decreases, the pressure decreases, and the aggregation and accumulation in the pore area are confirmed. When the temperature rises above the initial temperature of the reaction, the accumulation occurs preferentially in the reaction chamber. The deposits on the surface are not aggregated in the pores, and the fillings are grown at the base point. The amount of raw material introduced into the plant is determined by the amount of raw material introduced into the plant. The above is a brief confirmation of the previous record. XTEM-EDX analysis shows that the Cu in the Cu part is crystalline, and the Cu part is residual. The Cu part contains more organic components than C,O. In this specific field, the aggregation mechanism, the dynamic change of deposition temperature, the utilization of Cu in fine structures, the growth conditions, and the investigation of Cu in fine structures are discussed.メカニズムの検讨は概略完了した。