青・紫外域発光素子用BAlGaN系多層膜と量子井戸の形成とデバイス化

用于蓝色和紫外发光器件的 BAlGaN 多层膜和量子阱的形成和器件化

• 批准号: 14041212
• 负责人: 川西 英雄
• 金额: $ 2.43万
• 依托单位: Kogakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2002
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14041212/
• 关键词: 窒化物半導体; 超格子; 量子井戸; 半導体レーザ

平成13年度で得た研究成果を基礎にして、平成14年度は発光デバイスの製作へと研究を進めた。(AlN/GaN)多重バッファ層構造により発光デバイスの活性領域にある残留歪みを制御し、多重量子井戸構造による330nm域の発光ダイオードを試作し、エッジエミッション構造では、片端面からの最大光出力約0.2mWの光出力がとなった。この時の注入電流は200mAであった。このエッジエミッションの場合の光出力を面発光型の発光ダイオードの場合に換算すると2-2.4mWの光出力に相当することになる。この値は、この波長域における光出力としては高く、今後、更なるエピタキシャル成長結晶の高品質化と、デバイス構造の最適化を実施することで十分な改善が期待できるものである。一方、ホウ素を含むBAlGaNでは、電流注入型発光デバイスを実現するための導電性制御を試みた、2%のホウ素を含むBGaNでは、n型半導体については導電性が制御できつつある。このときの添加不純物はSiであった。一方、p型半導体については、不純物としてMgを用いて試みてきたが、現在のところ十分なp型半導体は達成されていない。この結果を踏まえ、光励起による発光およびレーザ発振を試みており、発光強度は大きく改善されつつある。特に、本年度には、この材料の屈折率が実験から測定されたことから、光導波路の設計もできるようになり、半導体デバイスの構造を議論できるようになったことは大きな進歩であった。更に、平成13年度の研究成果の中で特に本研究の大きな成果の一つである(AlN/GaN)多重バッファ層構造を改良し、その上に高品質な超格子構造を製作できるようになったことから、高反射率を有する多重反射膜(マイクロ共振器構造)を達成するための基礎技術は達成された。

The results of the research in Pingcheng in 13 and 14 in Pingcheng have been improved. (AlN/GaN) multiple quantum wells are used to determine the maximum light output in the active field, the residual distortion in the active field, the light output in the 330nm domain, the light output in the 330nm domain, the maximum light output on the side of the device. In short time, the current is injected into the 200mA generator. The light output of the surface light, the light output, the light output. In the future, we will improve the quality of the growth of high-quality high-quality chemical products, improve the performance of the most efficient production systems, and improve the performance of high-quality products. On the one hand, the device contains a BAlGaN device, a current injection device, an electrical control test, a BGaN test, and a n-type semi-conductor device. Please add something that does not need to be added. This is not Si. One side, the p-type hemispheric body, the object-oriented Mg, the other side, the p-type hemispheric body, the p-type semi-body, the p-type half-body The results show that the light intensity is very high, and the light intensity is very high. The bending rate of materials for this year, the bending rate for this year, the bending rate for In the "Research results" of Pingcheng in the 13th year, the major results of this study are as follows: in this study, the results of this study (AlN/GaN) are used to improve the structure of the high-quality, high-reflectivity, high reflectivity

项目成果

T.Honda, Y.Inao, K.Konno, K.Mineo, S.Kumabe, H.Kawanishi: "Deposition of Amorphous GaN by Compound Source Molecular Beam Epitaxy for Eelectroluminescent Devices"Phys.Stat.sol.. (a). Vol.192 No.1. 461-465 (2002)

T.Honda、Y.Inao、K.Konno、K.Mineo、S.Kumabe、H.Kawanishi：“通过复合源分子束外延沉积非晶 GaN 用于电致发光器件”Phys.Stat.sol.. (a)。

T.Honda, K.Sato, T.Hashimoto, M.Shinohara, H.Kawanishi: "GaN growth by compound source molecular beam epitaxy"J. Crystal Growth. Vol.237239. 237-239 (2002)

T.Honda、K.Sato、T.Hashimoto、M.Shinohara、H.Kawanishi：“化合物源分子束外延生长 GaN”J。

T.Takano, M.Kurimoto, J.Yamamoto, H.Kawanishi: "Epitaxial growth of high quality BAlGaN quaternary lattice matched to AlN on 6H-SiC substrate by LP-MOVPE for deep-UV emission"J.Crystal Growth. Vol.237239. 972-977 (2002)

T.Takano、M.Kurimoto、J.Yamamoto、H.Kawanishi：“通过 LP-MOVPE 在 6H-SiC 衬底上外延生长与 AlN 匹配的高质量 BAlGaN 四元晶格，以实现深紫外发射”J.Crystal Growth。

M.Horie, Y.Ishihara, J.Yamamoto, M Kurimoto, H.Kawanishi: "Optical Characteristic of the Straine-Controlled GaN Epitaxial Layer Grown on 6H-SiC Substrate by an Adapting (GaN/AlN) Multibuffer Layer"phys.Stat.sol..(a). Vol.192 No.1. 151-156 (2002)

M.Horie、Y.Ishihara、J.Yamamoto、M Kurimoto、H.Kawanishi：“通过自适应 (GaN/AlN) 多缓冲层在 6H-SiC 衬底上生长的应变控制 GaN 外延层的光学特性”phys.Stat