局所磁場測定法によるPrOs_4Sb_<12>の特異な超伝導状態の研究

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平成16年度、PrOs_4Sb_<12>において微小ホール素子を用いた局所磁場測定により確認されたB〜0Gの磁気異常と時間反転対称性を破る異常な超伝導状態の関係を明らかにするため、微小ホール素子アレーを用いた局所磁場測定を行った。磁場感知部の大きさが5x5μm^2のホール素子を15μm間隔で1次元的に並べ、局所磁場ヒステリシスの様子を比較した。その結果、隣り合うホール素子においても異なる応答が観測された。カイラルドメインの大きさとホール素子の大きさが接近している場合にこのような応答が期待される。一方、PrOs_4Sb_<12>における磁気光学法による局所磁場測定も引き続き行い、より鮮明な磁気光学像の所得を目指した。昨年度の溜置き型光学クライオスタットを用いた1.5Kまでの測定を引き続き行った。超伝導に起因する反磁牲と磁束侵入の様子は観測されたが、熱収縮による試料位置の移動のため差像法により感度を向上することができていない。試料位置を追尾する機構を検討する必要がある。さらにスクッテルダイト化合物の中でも特異な磁性を示すことが知られているSmrOs_4Sb_<12>における局所磁場測定を微小ホール素子を用いて行った。局所的な磁化測定と比較し、細かな点で異なるが再現性のあるヒステリシスループが観測された。このことは、試料が不均一であることを示している。また、磁気光学効果を用いた磁区観測にも挑んでいるが、現在の所磁区は観測されていない。遍歴強磁性体における磁区の振る舞いを明らかにするため、これまでに知られているNi_3Al等の遍歴弱強磁性体における、磁化特性と局所磁化特性の比較を行うため、試料の作製と評価を行った。