MgB_2および他の新奇超伝導体における磁束状態の研究

MgB_2等新型超导体磁通态研究

• 批准号: 02F00652
• 负责人: 為ヶ井 強
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2002 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02F00652/
• 关键词: 異方的超伝導体; GaAlSi; MgB_2; 上部臨界磁場

2001年初頭に発見されたMgB_2および、これと同じ結晶構造(AlB_2構造)をもつ層状金属間化合物における磁束状態の研究を行った。MgB_2に関しては、高圧合成により作製した単結晶および高密度焼結体における磁場下での磁化の温度依存性の測定から、異方的な上部臨界磁場の測定に成功した。この結果、MgB_2は超伝導転移温度直下で約3倍の異方性をもち、温度の低下とともに異方性が増大する。また、低温における様々な磁場角度における測定から決定した上部臨界磁場の角度依存性は、異方的GLモデルによりよく説明された。一方、超伝導面内の上部臨界磁場の測定にも初めて測定し、六方晶の結晶構造から予想される6回対象の成分は1%よりも遥かに小さいことを明らかにした。CaAlSiは一般式A(M_<1-x>Si_x)_2(A:アルカリ土類元素、M:Al、Ga)をもつ一群の金属間化合物に属し、常圧下で合成されるものとしては最高の超伝導転移温度(T_c=7.8K)をもつ。我々はCaAlSiの単結晶成長に世界で初めて成功し、MgB_2と同様の異方的超伝導特性の測定を行った。電気抵抗の異方性は室温において4-5で、面内の抵抗率は低温で10μΩcmである。単結晶では超伝導転移温度が6Kのものと8Kのものが存在する。化学分析によるとどちらも組成比はほぼ1:1:1であり、なぜこの違いが出るのかについては明らかではない。ただし、透過形電子顕微鏡による観察からC軸方向に超格子が存在することが明らかとなり、T_cに応じてそれぞれ6Kの試料は5倍、8Kの試料は6倍の周期を持っている。超伝導状態における異方性は上部臨界磁場で見る限り2倍であり、抵抗の異方性とほぼコンシステントである。しかし、上部臨界磁場の角度依存性は大変異常である。すなわち、磁場が超伝導面に平行な付近でカスプ状の角度依存性を示す。興味あることに、この角度依存性はTinkhamにより見いだされた薄膜超伝導体における式で、正確にフィットされる。もちろん、単結晶に薄膜の式が適応されるのは物理的ではないが、単結晶が実効的に2次元超伝導体を積み重ねたものとなっている場合には、このようなことが正当化されるかもしれない。この意味で、前述の超格子の存在が重要である。

At the beginning of 2001, we reviewed the study of MGB _ 2 scanning electron microscopy (AlB_2) and the study of magnetic beam state of intermetallic compounds. The temperature dependence of the temperature dependence of MgB_2 magnetization under the high density magnetic field and the upper boundary magnetic field of the high density magnetic field have been measured successfully. The results showed that the temperature of MgB_2 was about 3 times higher than that of normal temperature, and that of low temperature was about 3 times higher than that of normal temperature. The angle dependence of the upper boundary magnetic field is determined by the measurement of the angle of the magnetic field, the angle dependence of the upper boundary magnetic field, the angle dependence of the magnetic field and the angle dependence of the magnetic field. On the one hand, the upper boundary magnetic field in the superplane is measured, and the hexagonal crystal structure is used to determine the composition of the image. 1% of the composition. The general formula A (CaAlSi equation A) 2 (A: rare earth elements, M:Al, Ga) is used to analyze a group of intermetallic compounds, and the highest temperature of excess temperature (T_c=7.8K) is synthesized under normal conditions. The growth of CaAlSi crystal is very successful in the world, and the superconducting properties of the same side of the MgB_2 are measured. The resistance of the electronics is 4-5 ℃ at room temperature and 10 μ Ω cm at low temperature. The results show that the temperature shift temperature is 6K, the temperature is 8K, and the temperature is low. The chemical analysis showed that the ratio of temperature and temperature was higher than that at 1:1:1. By scanning electron microscopy and scanning electron microscopy, it is observed that there is a temperature difference in the supergrid in the direction of temperature C, the temperature of 6K is 5 times higher than that of 6K, and the cycle of 8K is 6 times longer than that of normal. The upper limit of the magnetic field is 2 times higher than that of the upper boundary magnetic field, and the limit is 2 times higher than that of the upper boundary magnetic field. The angle of the upper boundary magnetic field is dependent on the angle of the magnetic field. There is an indication of the angle dependence of the parallelism of the surface of the magnetic field and the surface of the magnetic field. The quality of the film is dependent on the angle and angle. The film is super-thin-film, and the correct formula is correct. The structure of the thin film, the structure of the thin film, the physics of the physics, the two-dimensional superstructure of the crystal, the structure of the thin film, the thin film, the thin film It means that there is an "important" in the aforementioned "superlattice".