高圧下における可視光反応型光触媒酸化物の反応特性と電子・原子構造

高压下可见光反应光催化氧化物的反应特性和电子/原子结构

• 批准号: 17029036
• 负责人: 加賀山 朋子
• 金额: $ 3.46万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17029036/
• 关键词: 高圧; 低温; 光触媒; ラマン分光

可視光領域で動作する高効率な光触媒の物質探索の過程においてその指針となるべき基礎情報を収集するため,高圧力下において結晶構造と電子構造の相関を明らかにすることが本研究の目的である。圧力下でのin-situ計測をおこなうことにより,原子間距離を連続的に制御させた環境下での電子構造の変化を調べる。その手段として,X線回折による結晶構造解析,ラマン分光による格子振動の情報,吸光スペクトル測定によるエネルギー構造の解析をおこなった。昨年度から取り組んでいるエネルギーギャップの形成機構に特徴のあるいくつかの物質系,RTO_4(R=希土類元素,T=遷移金属元素)やBi系酸化物についてひき続き高圧下の光学測定をおこなった。これには昨年度開発した低温・高圧力下における光学測定装置を使用した。また,今年度は新しくこの低温高圧下の光学測定装置を用いることによって光伝導の測定ができるようになった。電気測定のための電極は,試料上か,あるいは圧力発生条件によってはダイヤモンドアンビル上に半導体リソグラフィー技術を用いて形成する。上述の酸化物半導体材料以外にも,研究課題の範囲を超えて水素化物系半導体にも広げ測定に取り組んだ。希土類水素化物の電気抵抗率と光伝導特性を圧力下で測定し,同時にX線回折実験をおこなうことによって圧力で制御された結晶構造と合わせて結果を検討した。さらに,光触媒材料そのものだけでなく,反応場としてナノ構造材料のいくつかに着目し,高圧下のX線回折実験等によりおもに構造に関しての情報を蓄積する実験に着手し足がかりを得た。

Action in the field of visible light, high efficiency, photocatalyst, material exploration process, pointer, basic information collectionするため, においてThe correlation between crystal structure and electronic structure under high pressure を明らかにすることがThe purpose of this study is である. The in-situ measurement is performed under pressure, and the distance between atoms is controlled evenly, and the electronic structure is changed under the environment.そのmeans として, X-ray folding による crystal structure analysis, ラマン spectroscopic lattice vibration Dynamic information, light absorption measurement and analysis of the structure of the light absorption system. Last year's からtakeりんでいるエネルギーギャップの Formation Organization に特徴のあるいくつかのMaterial System, RTO_4( R=rare earth elements, T=migrating metal elements) Bi-based acid compounds are used for optical measurement under high pressure. Last year, we introduced the use of an optical measuring device under low temperature and high pressure. This year's new optical measurement device under low temperature and high pressure is used to measure the optical measurement using the optical fiber guide. Electrical measurement of electrodes, conditions on the sample, pressure generation conditions, etc.ダイヤモンドアンビル上に Semiconductor リソグラフィーtechnology is formed by いて. In addition to the above-mentioned acid compound semiconductor materials, the research topic is the measurement and measurement of ultra-hydride-based semiconductor materials. The electrical resistance and light conductivity characteristics of rare earth hydrides were measured under pressure and at the same time, X-ray reflection was performed験をおこなうことによって姧力でcontrolされたCrystal structureと合わせてRESULTSを検多した.さらに, photocatalyst material そのものだけでなく, reaction field としてナノstructural material のいくつかに目し, high pressure The next X-ray is turned around and the information is collected and the information is collected and the information is collected.