Development of the methods for designing spintronics devices and analyzing spin-polarized current
Development of the methods for designing spintronics devices and analyzing spin-polarized current
批准号:
17064001
负责人:
ABE Kazutaka
金额:
$17.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2008
中文摘要
界面でのハーフメタル性(フェルミエネルギーでのスピン偏極率が100%の性質)は、他物質へのスピン偏極電流注入が鍵となるスピントロニクスにおいて、理想的な特徴である。本研究では、金属/半導体、金属/酸化物界面でハーフメタル性を維持する系を提案した。一方、MRAM等に利用される磁気トンネル接合の第一原理伝導計算も実行し、高いトンネル磁気抵抗比をもつ候補を幾つか提案している
英文摘要
界面でのハーフメタル性(フェルミエネルギーでのスピン偏極率が100%の性質)は、他物質へのスピン偏極電流注入が鍵となるスピントロニクスにおいて、理想的な特徴である。本研究では、金属/半導体、金属/酸化物界面でハーフメタル性を維持する系を提案した。一方、MRAM等に利用される磁気トンネル接合の第一原理伝導計算も実行し、高いトンネル磁気抵抗比をもつ候補を幾つか提案している
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DOI:
10.1088/0953-8984/21/6/064245
发表时间:
2009-01
期刊:
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子:
--
作者:
[Y. Miura;K. Abe;M. Shirai]
通讯作者:
Y. Miura;K. Abe;M. Shirai
Monatomic Au wire with a magnetic Ni impurity : Electronic structure and ballistic conductance
含有磁性镍杂质的单原子金线:电子结构和弹道电导
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Physical Review B 78
影响因子:
--
作者:
[中野洋輔, 柳澤将, 濱田幾太郎, 森川良忠, Yujiro Taniguchi, Yoshio Miura]
通讯作者:
Yoshio Miura
High spin polarization at Heusler-alloy/silicon interface
Heusler 合金/硅界面处的高自旋极化
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K., Shirai・H., Yamaguchi・H., Katayama-Yoshida, K. Abe]
通讯作者:
K. Abe
高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計
高自旋极化Heusler合金/MgO界面的理论设计
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Journal of the Magnetics Society of Japan 33
影响因子:
--
作者:
[M. Otani, I. Hamada, T. Ikeshoji, Y. Morikawa, Y. Okamoto, O. Sugino, 三浦良雄]
通讯作者:
三浦良雄
Theoretical design of highly spin-polarized interfaces between a half-metallic Heusler alloys and semiconductors
半金属霍斯勒合金与半导体之间高自旋极化界面的理论设计
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Miura, M.Shirai, K.Nagao, Masafumi Shirai, 白井正文, M. Shirai]
通讯作者:
M. Shirai
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