近藤半導体イッテルビウム十二ホウ化物の強滋場誘起磁気秩序と金属非金属転移

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前年度に引き続き、立方晶近藤半導体YbB_12の約200いとう大きさのエネルギーギャップが100T近くまでの強磁場下の等温磁場印加遍程においてどのような応答を示すかを調べ、エネルギーギャップ形成め機構を構った。このため準定常磁場を発生できる物性研のロングパルスマグネット(パルス幅36mxec,最大磁場58T)と希釈冷凍機を用いて、本年度は磁気抵抗測定実験を行った。また、Lu置換合金(Lu1%、5%)の磁化過程を測定し、Lu置換によりYbB_12での50T近膀の転移磁場変化を調べた。(1)磁気抵抗:近藤半導体YbB_12の単結晶の縦磁気抵抗測定を、[100],[110],[111]の3方向について行った。温度は0.1Kから1Kまで0.1K刻みで測定。転移磁場は[100]で47T,[110],[111]で54Tで、1.3Kの値と変わらない。磁場依存性は全体として負の磁場抵抗を示す。金属へ転移後はいずれも電気抵抗はほぼ磁場依存性を示さず、一定に近い。(2)磁気振動:0.1K-1Kまで20T以上は周期的な磁気抵抗振動が顕著に現れた。その磁場間隔は[100]で7T,「110]で8T、[111]では明確な振動は見られず、振幅と磁場間隔に大きな異方性が見つかった。この振動が磁気励起子によるものか今後調べていく。(3)Lu置換合金の磁化: 転移後の磁化の伸びは鈍いが、振る舞いは基本的にYbB_12と同じ。また以前から指摘されていたIn-Gap状態の磁化成分が置換とともに増大してくることも見出した。2年間でYbB_12の磁化と磁気抵抗の準等温過程を確定することが出来、1次転移も明確になつた。飽和磁化までの磁化過程は次年度立ち上がる100Tマグネットを用いて、引き続き研究を進め、エネルギーギャップ形成機構を明らかにする。