100テスラ強磁場下での近藤半導体イッテルビウム12ホウ化物の磁気応答探究

近藤半导体硼化镱在100特斯拉强磁场下的磁响应探索

• 批准号: 20030006
• 负责人: 伊賀 文俊
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20030006/
• 关键词: 近藤半導体; パルス磁場; 金属非金属転移; 磁化過程; 磁気抵抗; エネルギーギャップ; 磁気異方性; 元素置換効果

前年度に引き続き、近藤半導体YbB_<12>のエネルギーギャップが、パルス磁場によって約50テスラでつぶれ、金属非金属転移を起こす機構を、LuほかSc置換による転移磁場近辺の磁化と磁気抵抗、ホール効果変化から探った。用いたマグネットはパルス幅34msecの準等温過程を実現できるロングパルス磁石(最大58テスラ)測定に用いた試料のLu濃度は1%と5%、さらに2%,0.5%で、磁場方位は[100],[110],[111]と3方向を調べた。1. YbB_<12>は1K以下の低温において20～50Tの磁場範囲で,2桁もの負の磁気抵抗を示し,エネルギーギャップバンド間で,異方的c-f混成由来の励起子バンド形成による階段構造が出現した。2. 10%以上のLu置換では,YbB_<12>でのin-gap状態を伴う2段ギャップ状態はつぶれ、フェルミ準位で有限の状態密度を有する単一の擬ギャップ状態に移る。その擬ギャップは,近藤効果一重項由来と考えられ、ギャップそのものの大きさはLu置換量が40-50%まで約200Kのままである。3. x=0から0.05までは,2段ギャップを形成するが、これはc-f混成のコヒーレント効果により生じたものと解釈できる。転移磁場50テスラ以降の強磁場領域では2段目のギャップは消え、擬ギャップ状態しか残らず、フェルミ準位に有限の状態密度を持つ半金属(擬ギャップ)状態になったものと考えられる。100T磁場による磁化過程の検証は引き続き次年度で推進していく。

In the previous year, Kondo Semiconductor YbB_<12>was introduced into the magnetic field, and the magnetic field was about 50 degrees. The metal and non-metal shift mechanism was introduced. The magnetic field was shifted to the magnetic field, and the magnetic resistance was detected. A quasi-isothermal process with a 34msec amplitude was carried out using a magnet (maximum 58 msec). The concentration of Lu in the sample was determined by adjusting the magnetic field orientation to [100],[110],[111] and 3 directions. 1. Under <12>the magnetic field range of 20~50T at low temperature below 1K, the negative magnetic resistance of the 2-ring is shown, and the different c-f hybrid is formed during the formation of the excitation. 2. If more than 10% of Lu is substituted,YbB_<12>s in-gap state is accompanied by 2-stage state shift, and the state density is limited. The amount of Lu substitution is about 40-50% and the amount of Lu substitution is about 200K. 3. x=0 Shifting magnetic field 50 degrees to reduce the strong magnetic field, the second phase of the object, the pseudo-state, the residual state, the finite state density, the semi-metallic (pseudo-state) state, and the examination. 100T magnetic field to verify the magnetization process will be carried out every five years.

项目成果

新規カゴ状ホウ化物GdB_<12>の高圧合成と磁性

新型笼状硼化物GdB_<12>的高压合成及磁性

• 发表时间: 2009
• 作者: 鳴海康雄;野尻浩之;大山研司;保井基良;吉居俊輔;岡田郷子;中島健次;前川藤夫;及川健一;原田正英;金道浩一;満田節生;木村剛;松尾晶;岡田郷子;片倉稲子;武田健一;山口博則;武田健一;木田孝則;中村哲也;北田敦;堀彰宏;三田村裕幸;那波和宏;萩原弘幸;宮村真理子;奥田浩司;何金龍;佐藤桂輔;木村尚次郎;杉山清寛;長谷正司;山路明由美;松永崇弘;太田寛人;和氣剛;菊池彦光;長谷正司;松浦圭介;〓頭祐作
• 通讯作者: 〓頭祐作

研究成果は研究室HPの業績リストの公表論文、学会発表欄で常に更新、発信している。

研究成果在实验室网站成果列表的已发表论文和会议演示部分中不断更新和传播。

最大68Tまでの強磁場下における近藤半導体YbB_12のLu置換効果

近藤半导体YbB_12在高达68T强磁场下的Lu取代效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 松見紀佳;川口佳大;広田陽祐;青井啓悟;J. Yamaguchi;吉澤正人;桑原慶太郎;武田健一;木村俊哉;五十嵐亮介;F.Iga;F.Iga;古林宏之;小林慶亮;松村武;国森敬介;近藤晃弘;伊賀文俊
• 通讯作者: 伊賀文俊

PrB_6関連物質の圧力効果

PrB_6相关物质的压力效应

• 发表时间: 2008
• 作者: 松見紀佳;川口佳大;広田陽祐;青井啓悟;J. Yamaguchi;吉澤正人;桑原慶太郎;武田健一;木村俊哉;五十嵐亮介;F.Iga;F.Iga;古林宏之;小林慶亮;松村武;国森敬介;近藤晃弘;伊賀文俊;山口淳一;福田賢二;道村真司;菅健一;武田健一;谷口準大;岸野雄二
• 通讯作者: 岸野雄二

DyB_6 : 高温低磁場相における多極子秩序の可能性

DyB_6：高温、低场相中多极有序的可能性

• 发表时间: 2008
• 作者: 松見紀佳;川口佳大;広田陽祐;青井啓悟;J. Yamaguchi;吉澤正人;桑原慶太郎;武田健一;木村俊哉;五十嵐亮介;F.Iga;F.Iga;古林宏之;小林慶亮;松村武;国森敬介;近藤晃弘;伊賀文俊;山口淳一;福田賢二;道村真司;菅健一;武田健一;谷口準大;岸野雄二;国森敬介;近藤晃弘;米村卓巳
• 通讯作者: 米村卓巳