权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Ti,V酸化物における軌道自由度付フラストレーション系の物質開発と物性

Ti,V 氧化物中具有轨道自由度的受挫系统的材料开发和物理性质

基本信息

批准号：
20046014
负责人：
勝藤拓郎
金额：
$ 2.37万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20046014/
关键词：
幾何学的フラストレーション軌道自由度遷移金属酸化物

项目摘要

A2V13022におけるスピンシングレット三量体形成:A2V13022(A=Ba,Sr)は、Vが規則的に欠損した擬V三角格子が3層、fcc格子的に積層した構造をとる。Ti酸化物で同様の構造をとる物質は知られていたが、この物質は本研究で初めて合成されたものである。この物質の電気抵抗と帯磁率を測定した結果、Ba2V13022では290Kで、SrV13022では380Kで、それぞれ電気抵抗は上昇し、帯磁率は現象するという異常が観測されることが分かった。さらに、放射光x線粉末回折実験を行った結果、この温度以下でVが三量体を形成する構造相転移が起こることが分かった。この構造相転移において、13個のVが4つの三量体と1つの孤立Vイオンに分離する。さらに帯磁率の振る舞いとNMR測定の結果から、この三量体はスピンシングレット状態であり、孤立VイオンはS=1/2のスピンを持つことが明らかとなった。BaV10015の三量体構造相転移とSrV10015のスピンフラストレーション:AV10015(A=Ba,Sr)は、Vが規則的に欠損した擬V三角格子が2層積層した構造をとる。この物質の単結晶を初めて作製し、BaV10015は130Kの構造相転移で電気抵抗が3桁跳ぶこと、また光学伝導度スペクトルに0.2eV程度のギャップが開くこと、37K以下では、a軸方向にスピンの向く反強磁性を見出してきた。本年は、SrV10015の測定をした結果、電気抵抗は異常がなくvariable range hoppingの振る舞いを示すこと、光学スペクトルにはギャップは開かず、温度低下とともに連続的にウェイトが減少する振る舞いを示すこと、また低温には磁気転移に対応する比熱の異常は見られないが、NMRの1/T1に長距離秩序を示唆する異常が30K付近に見られることを明らかにした。

A2 V13022 (A = Ba, Sr) is a three-dimensional lattice structure with three layers and fcc lattice. Ti acidified compounds have the same structure as other substances, and these substances have been synthesized for the first time in this research. The electrical resistance and magnetic susceptibility of the substance were measured at 290 K for Ba2V13022 and 380 K for SrV13022. The electrical resistance and magnetic susceptibility of the substance increased. In addition, X-ray powder reflection results, the temperature below the formation of V three-dimensional structure phase shift. The structural phase shift is due to the separation of 13 V's and 4 V's and 1 V's and 1 V's. The results of NMR measurements show that the three components are in a state of isolation, S = 1/2 and S = 1/2. The phase shift of BaV10015 three-dimensional structure and the structure of SrV10015 are as follows: AV10015 (A = Ba, Sr) and V are regular and imperfect, and the structure of pseudo-V triangular lattice is two-layered. This material is crystalline and has a structural phase shift of 130 K, an electrical resistance of 3 eV, an optical conductivity of 0.2 eV, and an antiferromagnetism in the a-axis direction below 37 K. This year, SrV10015 measurement results, electrical resistance anomalies, variable range hopping, vibration, optical resistance anomalies, temperature decreases, continuous vibration, vibration, temperature decreases, magnetic resistance anomalies, specific heat, temperature decreases, vibration decreases, temperature decreases, temperature NMR 1/T1 long-range order is abnormal at 30 K.

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Spin-singlet formation in the geometrically frustrated spinel oxide AIV204 : 51V and 27A1 NMR measurements

几何受阻尖晶石氧化物 AIV204 中自旋单线态的形成：51V 和 27A1 NMR 测量

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
Phys. Rev. B 78
影响因子：
0
作者：
Y. Shimizu;M. Tanaka;M. Itoh;and T. Katsufuji
通讯作者：
and T. Katsufuji

Second Harmonic Generation from Multiferroic MnWO4

多铁性 MnWO4 的二次谐波产生

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
J. Phys. Soc. Jpn 77
影响因子：
0
作者：
A. Nogami;T. Suzuki;and T. Katsufuji
通讯作者：
and T. Katsufuji

Trimerization with orbital ordering in novel vanadates

新型钒酸盐中轨道有序的三聚化

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mitsuhiro Akatsu;Shotaro Baba;Terutaka Goto;Satoru Komatsu;Kunihiko Horie;Keisuke Mitsumoto;Takafumi Ogawa;Yuichi Nemoto;Hiroshi Yamada-Kaneta;T.Nishimura M.Tateno;T. Katsufuji
通讯作者：
T. Katsufuji

Opening of a charge gap with V trimerization in BaV10015

BaV10015 中 V 三聚打开电荷间隙