光プローブ法による表面新物資相の研究

光学探针法研究新表面相

• 批准号: 63609002
• 负责人: 潮田 資勝
• 金额: $ 11.52万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 1989
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63609002/
• 关键词: ラマン散乱; 赤外分光; 光電子分光; 逆行電子光; 表面EXAFS; X線定在波法; 表面再配列; 吸着分子; 金属・半導体初期界面; インターカレーション

光をプローブとした実験手段を使って固体表面の構造とダイナミックスの研究を行なった。各分担者は研究会などの機会を通じてお互いの連絡を密にし「表面新物質相」を総合的に理解することに努めた。[潮田]Ni(111)面に吸着したニトロベンゼン分子層のラマン散乱から薄膜分子層の構造相転移を見つけた。金属及びガラス基板に吸着したローダミン6Gの蛍光の角度依存から分子配向と表面粗さを決定した。GaAs(110)/Cs面からの禁制LOフォノン散乱の強度から表面付近の電子エネルギーバンドの曲がりを測定した。[太田]シンクロトロン放射光を用いた表面EXAFS法と軟X線定在波法によりSあるいはClを吸着させたNi(111)、Ni(100)の表面構造を解析し、表面再配列と表面緩和を詳細に検討した。[河野]光電子分光,光電子回折により以下の金属・半導体初期界面の電子状態と原子配列を調べた。1)シングルドメインSi(001)2x1表面上のK、Cs吸着表面、2)負の電子親和力を呈するO/Cs/Sl(001)2x1表面、3)NEA表面O/Cs/GaAs(110)、4)Si(111)√<3>×√<3>-Ag表面。[菅]Yb化合物の表面電子状態をシンクロトロン放射を用いた光電子分光法で研究した。逆行電子分光測定を行ない遷移金属M(Ni、Fe、etc)をインターカレートしたTiS_2らびにMを表面吸着させたTiS_2の表面電子状態について研究を行なった。[難波]表面赤外分光研究用光源に放射光を利用することを具体的に検討する目的で、分子科学研究所の電子蓄積リングUVSORからの遠赤外及び赤外線強度を実測し、通常光源よりもその性能が数段優れていることを明らかにした。

The study of the structure of solid surfaces by optical means Each participant shall study the opportunities for communication and close communication, and strive for a comprehensive understanding of the "surface new material phase." [Chaotian]Ni(111) surface adsorption, molecular layer scattering, thin film molecular layer structural phase shift, etc. The angle dependence of the absorption of metal and silicon substrates on the molecular alignment and surface roughness is determined. GaAs(110)/Cs surface emission suppression LO scattering intensity and surface electron emission near the surface are measured. [Ota] Surface structure analysis, surface rearrangement and surface relaxation are discussed in detail by surface EXAFS method, soft X-ray stationary wave method, Cl adsorption method, Ni(111) and Ni(100). [Kono] Photoelectron spectroscopy, photoelectron reflection, electron state and atomic alignment of the initial interface of metal and semiconductor 1) K and Cs adsorption surface on the Si(001) 2x1 surface, 2) O/Cs/Sl(001) 2x1 surface where negative electron affinity is present, 3)NEA surface O/Cs/GaAs(110), 4)Si(111)√ <3>×√<3>-Ag surface. Study on Surface Electronic State of [Yb] Compounds by Photoelectron Spectroscopy Retrograde electron spectroscopic determination of M(Ni, Fe, etc.) on the surface of TiS_2 and surface adsorption of M on TiS_2 [Chen Di] The light source for surface infrared spectroscopy research is used to measure the intensity of ultraviolet and infrared rays emitted by electron accumulation in the Institute of Molecular Science. The performance of the light source is excellent in several stages.