レーザー励起低速光電子と表面素励起の相互作用

激光激发的慢光电子与表面基本激发之间的相互作用

• 批准号: 08454073
• 负责人: 潮田 資勝
• 金额: $ 5.57万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08454073/
• 关键词: TOF; 光電子分光; 仕事関数

Si(100)2x1のCs吸着系Csの吸着時間(露出量)の関数としてTDS分光とHe-Neレーザー光源による光電子放出電流の測定を行った。TDSの結果からCsは0.5モノレイヤー以下の被覆率では選択的にvalley bridge siteのみに吸着することがわかった。一方、He-Neレーザー光源(波長638nm)による光電子放出は1/3モノレイヤー以上のCs被覆領域でのみ観測された。文献によれば1/3モノレイヤーの吸着ではCsはvalley bridge siteの列に沿って二つ入って一つ抜けるように吸着している。この状態にさらにCsが吸着して三つ以上のCsが並ぶようになるとHe-Neレーザー光による光電子放出が起こるようになる。光電子放出強度は0.5モノレイヤーまで単調に増加するが、これはCsの吸着による仕事関数の低下によるものではないことが、波長820nmの光を用いたTOF光電子分光でわかった。すなわち、光電子スペクトルを観測すると、低エネルギー側のカットオフエネルギーおよびスペクトル形状はCsの被覆量にたいして変化しない。以上のことから、1/3モノレイヤー以下と以上では仕事関数はディジタルに変化している(連続的には変化していない)ことがわかる。Csの吸着量が0.5モノレイヤー以上になるとpedestal siteへの吸着が始まり光電子放出電流は低下するが、光電子スペクトルの低エネルギー側のカットオフエネルギーは変化しない。この結果から、Csがpedestal siteへ吸着するとその周りの仕事関数が局所的に増加することがわかった。清浄Cu(110)面Cu(110)面は4.82eVの仕事関数を有し、これはチタンサファイアレーザーの3倍の高調波の同調範囲のほぼ中央に位置する。この系にたいするTOF光電子分光を行うためにレーザーから試料までの紫外光に対応する光学系を構築し、終了した。

Si (100) 2x1 Cs absorption system Cs absorption time (exposure) number, TDS spectroscopy, He-Ne absorption light source, photovoltaic emission current measurement, performance measurement. The TDS results show that the valley bridge site that was selected in the coverage rate below the Cs. 0. 5% is inhaled. On the one hand, the He-Ne infrared light source (wavelength 638nm) is used for photovoltaics to emit more than 1pm and more Cs covering the field. In the literature, please note that the Cs valley bridge site has been sucked along the two sides of the literature. The Cs absorbs more than three times the temperature of the Cs and makes sure that the He-Ne is emitted and the photo-electricity is released. The intensity of photovoltaic emission is 0.5 kHz, the intensity of photovoltaics is 0.5, the intensity of photoelectrons is For example, photovoltaic devices, photovoltaic devices, and low-temperature photovoltaic devices. This is not true. The shape of the Cs is not affected. The following is the number of official posts above, the number of official posts below, the number of official posts, the number of official positions, the number of official posts, the number of official positions, the number of official posts, the number of official posts, the number of official positions, the number of official posts, the number of official positions, the number of official posts, the number of The absorption capacity of Cs is less than 0. 5%. The absorption capacity of the pedestal site is higher than that of the photoelectrons. the photovoltaic is used to discharge the current. The photovoltaic current is low and the temperature is low. In the end, Cs pedestal site inhaled the information from the Bureau of Weekly Financial Affairs. Clear Cu (110mm) face Cu (110mm), 4.82eV (110mm), 4.82eV (110mm), Cu (110mm), Cu (110mm), 4.82eV (110mm), 4.82eV (110mm), QR (110mm), 110mm (110mm), 110mm (110mm), 110mm (110mm), 110mm (110mm), 110mm (110mm), 110mm (110mm), 3x (3x). The department of optical engineering, the department of optics, and the department of optics.