MBE-Anlage zur Herstellung von II-VI narrow-gap Halbleitern
MBE-Anlage zur Herstellung von II-VI narrow-gap Halbleitern
用于生产 II-VI 窄带隙半导体的 MBE 系统
批准号：
50254429
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Major Research Instrumentation
财政年份：
2007
资助国家：
德国
项目状态：
未结题
起止时间：
2006-12-31 至 --
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