Development of low-loss buffer layer for fabrication and realization of high-performance optical devices on Si substrates
Development of low-loss buffer layer for fabrication and realization of high-performance optical devices on Si substrates
开发低损耗缓冲层，用于在硅衬底上制造和实现高性能光学器件
批准号：
15K20960
负责人：
Hoshii Takuya
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
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III-V Crystal Growth on Si for Power Generation and Saving Devices
用于发电和节能设备的 Si 上 III-V 晶体生长
用于发电和节能设备的 Si 上 III-V 晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuya Hoshii, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hamada, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, and Kazuo Tsutsui]
通讯作者：
and Kazuo Tsutsui
Electrical Evaluation of Energy Distribution of State Density in Embedded Nanostructure
嵌入式纳米结构中状态密度能量分布的电学评估
嵌入式纳米结构中状态密度能量分布的电学评估
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山口 杏, 藤原 清香, 小林 実桜, 野口 智子, 真野 浩志, 柴田 晃希, 芳賀 信彦, Takuya Hoshii]
通讯作者：
Takuya Hoshii
Si ドープした InAs 量子ドットへの赤外光集光効果
Si掺杂InAs量子点的红外光聚焦效应
Si掺杂InAs量子点的红外光聚焦效应
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[内藤駿弥, 宮下直也, 星井拓也, 岡田至崇]
通讯作者：
岡田至崇
Characteristics of Fe/pGaN Contact upon Annealing Process
Fe/pGaN 接触退火过程的特性
Fe/pGaN 接触退火过程的特性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ikeuchi, Takuya Hoshii, Hithoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, and S. Ishikawa]
通讯作者：
and S. Ishikawa
DOI：
10.7567/jjap.55.04es11
发表时间：
2016-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[T. Hoshii;S. Naitoh;Y. Okada]
通讯作者：
T. Hoshii;S. Naitoh;Y. Okada
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