Development of low-loss buffer layer for fabrication and realization of high-performance optical devices on Si substrates

开发低损耗缓冲层，用于在硅衬底上制造和实现高性能光学器件

基本信息

  • 批准号：
    15K20960
  • 负责人：
    Hoshii Takuya
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
III-V Crystal Growth on Si for Power Generation and Saving Devices
用于发电和节能设备的 Si 上 III-V 晶体生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takuya Hoshii;Hiroki Kuroiwa;Takuya Hamada;Tokio Takahashi;Toshihide Ide;Mitsuaki Shimizu;and Kazuo Tsutsui
  • 通讯作者：
    and Kazuo Tsutsui
Electrical Evaluation of Energy Distribution of State Density in Embedded Nanostructure
嵌入式纳米结构中状态密度能量分布的电学评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    山口 杏;藤原 清香;小林 実桜;野口 智子;真野 浩志;柴田 晃希;芳賀 信彦;Takuya Hoshii
  • 通讯作者：
    Takuya Hoshii
Si ドープした InAs 量子ドットへの赤外光集光効果
Si掺杂InAs量子点的红外光聚焦效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    内藤駿弥;宮下直也;星井拓也;岡田至崇
  • 通讯作者：
    岡田至崇
Characteristics of Fe/pGaN Contact upon Annealing Process
Fe/pGaN 接触退火过程的特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ikeuchi;Takuya Hoshii;Hithoshi Wakabayashi;Kazuo Tsutsui;Kuniyuki Kakushima;and S. Ishikawa
  • 通讯作者：
    and S. Ishikawa
Photoassisted impedance spectroscopy for quantum dot solar cells
  • DOI：
    10.7567/jjap.55.04es11
  • 发表时间：
    2016-03
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    T. Hoshii;S. Naitoh;Y. Okada
  • 通讯作者：
    T. Hoshii;S. Naitoh;Y. Okada
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Hoshii Takuya其他文献

Individual Atomic Imaging of Multiple Dopant Sites in As-Doped Si Using Spectro-Photoelectron Holography
使用光谱光电子全息术对掺杂硅中的多个掺杂位点进行单独原子成像
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
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  • 作者：
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  • 通讯作者：
    Kinoshita Toyohiko
Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs
由 WSe<sub>2</sub> n/p FET 组成的高增益 CMOS 逆变器在低至 0.5V 的低 V <sub> dd </sub> 下运行的实验演示
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ac3a8e
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kawanago Takamasa;Matsuzaki Takahiro;Kajikawa Ryosuke;Muneta Iriya;Hoshii Takuya;Kakushima Kuniyuki;Tsutsui Kazuo;Wakabayashi Hitoshi
  • 通讯作者：
    Wakabayashi Hitoshi

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
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  • 财政年份：
    1989
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

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