III-V族化合物半導体材料の化学熱力学的研究
III-V族化合物半導体材料の化学熱力学的研究
批准号:
02750526
负责人:
山口 勉功
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
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会议论文
Zn-Te系化合物半導体材料の蒸気圧-温度-組成相関図
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批准号:12750647
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2000
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaAs化合物半導体スクラップの精製に関する基礎研究
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批准号:09750803
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系合金液体の会合体に関する熱力学的研究
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批准号:08226203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
CdS/CdTe系太陽電池の電着プロセスに関する研究
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批准号:08750849
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
InPAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:06750748
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
Cd-Te系半導体材料の平衡状態図と熱力学に関する研究
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批准号:05750653
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:山口 勉功
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依托单位:
GaInAs混晶半導体材料の化学熱力学的研究
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批准号:04750612
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:山口 勉功
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依托单位: