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Development of free-energy calculation method based on the first-principles electronic-structure calculations and its application

基于第一性原理电子结构计算的自由能计算方法发展及其应用

基本信息

批准号：
16K17551
负责人：
Araidai Masaaki
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

第一原理分子動力学法による超格子GeTe/Sb2Te3におけるGeTe層の非晶質-結晶間の相変化過程の解析

第一性原理分子动力学方法分析超晶格GeTe/Sb2Te3中非晶态与晶态GeTe层的相变过程

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Cao Pu;Jiang Chen;白川裕規，洗平昌晃，白石賢二
通讯作者：
白川裕規，洗平昌晃，白石賢二

Origin of the difference between high resistive and low resistive structures for interfacial phase change memories based on GeTe/Sb2Te3 superlattice

基于GeTe/Sb2Te3超晶格的界面相变存储器高阻和低阻结构差异的根源

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Shirakawa;M. Araidai;K. Shiraishi
通讯作者：
K. Shiraishi

The atomic configuraton of the GeTe/Sb2Te3 superlatce with bandgap

带隙GeTe/Sb2Te3超晶格的原子构型

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Shirakawa;M. Araidai;K. Shiraishi
通讯作者：
K. Shiraishi

IV族二次元結晶の電子状態・水素吸脱着に関する第一原理計算

IV族二维晶体电子态和氢吸脱附的第一性原理计算

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takao Shimizu;Takanori Mimura;Hiroshi Funakubo;洗平昌晃
通讯作者：
洗平昌晃

Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on α-Al2O3(0001) surfaces

α-Al2O3(0001)表面IV族元素二维晶体的电子态

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Araidai;M. Kurosawa;A. Ohta;and K. Shiraishi
通讯作者：
and K. Shiraishi

DOI：
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作者：
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Araidai Masaaki其他文献

Effect of hydrogen atoms on potassium-ion electrets used in vibration-powered generators

氢原子对振动发电机中使用的钾离子驻极体的影响

DOI：
10.1016/j.mssp.2022.107306
发表时间：
2023
期刊：
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子：
4.1
作者：
Ohata Yoshiki;Araidai Masaaki;Ishiguro Takuma;Mitsuya Hiroyuki;Toshiyoshi Hiroshi;Shibata Yasushi;Hashiguchi Gen;Shiraishi Kenji
通讯作者：
Shiraishi Kenji

ナノダイヤモンドを用いた多層グラフェンの直接析出成長の低温化に関する検討

纳米金刚石低温直接沉淀生长多层石墨烯的研究

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Araidai Masaaki;Kurosawa Masashi;Ohta Akio;Shiraishi Kenji;樫尾達也　中島諒人　山田純平　上田悠貴　丸山隆浩　成塚重弥
通讯作者：
樫尾達也　中島諒人　山田純平　上田悠貴　丸山隆浩　成塚重弥

Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)

通过 Ge(111) 上的 Al(111) 薄膜偏析形成单锗烯相

DOI：
10.1088/2053-1583/ac2bef
发表时间：
2021
期刊：
2D Materials
影响因子：
5.5
作者：
Yuhara Junji;Muto Hiroaki;Araidai Masaaki;Kobayashi Masato;Ohta Akio;Miyazaki Seiichi;Takakura Sho-ichi;Nakatake Masashi;Lay Guy Le
通讯作者：
Lay Guy Le

Microscopic physical origin of charge traps in 3D NAND flash memories

3D NAND 闪存中电荷陷阱的微观物理起源

DOI：
10.35848/1347-4065/acaeb3
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Nanataki Fugo;Iwata Jun-Ichi;Chokawa Kenta;Araidai Masaaki;Oshiyama Atsushi;Shiraishi Kenji
通讯作者：
Shiraishi Kenji

Fermi energy dependence of ultrafast photoluminescence from graphene

石墨烯超快光致发光的费米能量依赖性

DOI：
10.1063/5.0092558
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Inukai Daiki;Koyama Takeshi;Araidai Masaaki;Kawahara Kenji;Ago Hiroki;Kishida Hideo
通讯作者：
Kishida Hideo