Development of free-energy calculation method based on the first-principles electronic-structure calculations and its application
Development of free-energy calculation method based on the first-principles electronic-structure calculations and its application
基于第一性原理电子结构计算的自由能计算方法发展及其应用
批准号：
16K17551
负责人：
Araidai Masaaki
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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第一原理分子動力学法による超格子GeTe/Sb2Te3におけるGeTe層の非晶質-結晶間の相変化過程の解析
第一性原理分子动力学方法分析超晶格GeTe/Sb2Te3中非晶态与晶态GeTe层的相变过程
第一性原理分子动力学方法分析超晶格GeTe/Sb2Te3中非晶态与晶态GeTe层的相变过程
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Cao Pu, Jiang Chen, 白川裕規，洗平昌晃，白石賢二]
通讯作者：
白川裕規，洗平昌晃，白石賢二
Origin of the difference between high resistive and low resistive structures for interfacial phase change memories based on GeTe/Sb2Te3 superlattice
基于GeTe/Sb2Te3超晶格的界面相变存储器高阻和低阻结构差异的根源
基于GeTe/Sb2Te3超晶格的界面相变存储器高阻和低阻结构差异的根源
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi]
通讯作者：
K. Shiraishi
The atomic configuraton of the GeTe/Sb2Te3 superlatce with bandgap
带隙GeTe/Sb2Te3超晶格的原子构型
带隙GeTe/Sb2Te3超晶格的原子构型
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi]
通讯作者：
K. Shiraishi
IV族二次元結晶の電子状態・水素吸脱着に関する第一原理計算
IV族二维晶体电子态和氢吸脱附的第一性原理计算
IV族二维晶体电子态和氢吸脱附的第一性原理计算
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo, 洗平 昌晃]
通讯作者：
洗平 昌晃
Electronic States of two-dimensional crystals of group IV element on α-Al2O3(0001) surfaces
α-Al2O3(0001)表面IV族元素二维晶体的电子态
α-Al2O3(0001)表面IV族元素二维晶体的电子态
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi]
通讯作者：
and K. Shiraishi
共 17 条
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