Controlling grain-boundary resistance of proton-conducting oxides by processing under oxidizing environments
Controlling grain-boundary resistance of proton-conducting oxides by processing under oxidizing environments
通过在氧化环境下加工控制质子传导氧化物的晶界电阻
批准号：
16K18232
负责人：
MIYOSHI Shogo
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
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会议论文
Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique
宽禁带氧化物半导体的氢化作为室温和 3D 兼容的电子掺杂技术
宽禁带氧化物半导体的氢化作为室温和 3D 兼容的电子掺杂技术
DOI：
10.1063/1.5055302
发表时间：
2018
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Yajima T., Oike G., Yamaguchi S., Miyoshi S., Nishimura T., Toriumi A.]
通讯作者：
Toriumi A.
緻密および多孔(La,Sr)CoO3におけるSr偏析
致密和多孔 (La,Sr)CoO3 中的 Sr 偏析
致密和多孔 (La,Sr)CoO3 中的 Sr 偏析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yajima T., Oike G., Yamaguchi S., Miyoshi S., Nishimura T., Toriumi A., 三好正悟]
通讯作者：
三好正悟
Improvement of lithium-ion conduction based on evolution of grain-boundary conduction upon ceramics fabrication
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批准号：19K05020
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2019
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负责人：MIYOSHI Shogo
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依托单位：
Fabrication of highly proton-conducting oxides via direct synthesis under humid and low-temperature conditions
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批准号：26820290
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2014
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负责人：MIYOSHI Shogo
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依托单位：
海外基金
