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Controlling grain-boundary resistance of proton-conducting oxides by processing under oxidizing environments
通过在氧化环境下加工控制质子传导氧化物的晶界电阻
基本信息
- 批准号：16K18232
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique
宽禁带氧化物半导体的氢化作为室温和 3D 兼容的电子掺杂技术
- DOI：10.1063/1.5055302
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.6
- 作者：Yajima T.;Oike G.;Yamaguchi S.;Miyoshi S.;Nishimura T.;Toriumi A.
- 通讯作者：Toriumi A.
緻密および多孔(La,Sr)CoO3におけるSr偏析
致密和多孔 (La,Sr)CoO3 中的 Sr 偏析
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yajima T.;Oike G.;Yamaguchi S.;Miyoshi S.;Nishimura T.;Toriumi A.;三好正悟
- 通讯作者：三好正悟
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MIYOSHI Shogo其他文献
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基于陶瓷制造过程中晶界传导演化的锂离子传导改进
- 批准号：
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