Development of film growth techniqes of group IV clathrates
Development of film growth techniqes of group IV clathrates
IV族包合物薄膜生长技术的发展
批准号：
16K21072
负责人：
Ohashi Fumitaka
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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ゲストフリーⅡ型Geクラスレート膜の合成Ⅱ
无客体II型Ge包合物薄膜II的合成
无客体II型Ge包合物薄膜II的合成
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 渉太, 久米 徹二, 境 健太郎, Himanshu S Jha, 大橋 史隆, 野々村 修一, 福山 敦彦]
通讯作者：
福山 敦彦
紫外から赤外領域におけるII型Geクラスレート膜の光吸収スペクトル
II型Ge包合物薄膜在紫外至红外区的光学吸收光谱
II型Ge包合物薄膜在紫外至红外区的光学吸收光谱
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[前田 拓磨, ジャ ヒマンシュ, 大橋 史隆, 久米 徹二, 野々村 修一]
通讯作者：
野々村 修一
Na内包II型Geクラスレート膜の膜質向上における作製条件の探索
提高含Na型II Ge包合物薄膜制备条件的探讨
提高含Na型II Ge包合物薄膜制备条件的探讨
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[向井 哲也, 杉井 南斗, 大橋 史隆, 久米 徹二, シャカール ジャ ヒマンシュ, 野々村 修一]
通讯作者：
野々村 修一
Cross-sectional transmission electron microscope observation of Si clathrate thin films grown on Si(111) substrates
Si(111)衬底上生长的Si笼形薄膜的截面透射电子显微镜观察
Si(111)衬底上生长的Si笼形薄膜的截面透射电子显微镜观察
DOI：
10.1016/j.tsf.2016.11.019
发表时间：
2017
期刊：
Thin Solid films
影响因子：
2.1
作者：
[3.Kentaro Sakai, Hirotaka Takeshita, Tomohiro Haraguchi, Hidetoshi Suzuki, Fumitaka Ohashi, Tetsuji Kume, Atsuhiko Fukuyama, Shuichi Nonomura, Tetsuo Ikari]
通讯作者：
Tetsuo Ikari
Group IV clathrates for photovoltaic application
用于光伏应用的 IV 族包合物
用于光伏应用的 IV 族包合物
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics Progress Review
影响因子：
--
作者：
[Tetsuji Kume, Fumitaka Ohashi, Shuichi Nonomura]
通讯作者：
Shuichi Nonomura
共 13 条
Control of Na contents in group IV clathrate and their electrical and optical characterizations
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批准号：20K03820
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2020
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负责人：Ohashi Fumitaka
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依托单位：