Group IV clathrates for photovoltaic application
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用于光伏应用的 IV 族包合物
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shuichi Nonomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tetsuji Kume;Fumitaka Ohashi;Shuichi Nonomura
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通过第一原理赝势计算预测的半导体硅包合物理想化晶体 M8Si38A8（M = Na、K、Rb、Cs；A = Ga、Al、In）的带隙化学趋势
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Imai;M. Imai
通讯作者：
M. Imai
影响因子：
3.5
作者：
Ammar, A;Cros, C;Reny, E
通讯作者：
Reny, E
笼形II相K(x)Ge136和Na(x)Si136单晶纳米结构的合成和电子全息研究。
影响因子：
15
作者：
P. Simon;Zhongjia Tang;W. Carrillo‐Cabrera;K. Chiong;Bodo Böhme;M. Baitinger;H. Lichte;Y. Grin;A. Guloy
通讯作者：
A. Guloy
利用NaSi靶材耐热装置制备无客体Si笼形薄膜的NaSi薄膜
DOI：
10.1002/pssc.200982755
发表时间：
2010
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
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作者：
T. Narita;Hiroyuki Ueno;T. Baba;T. Kume;T. Ban;Tamio Iida;Hitoe Habuchi;H. Natsuhara;S. Nonomura
通讯作者：
S. Nonomura
金属间包合物选择性晶体生长的简单方法
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
S. Stefanoski;M. Beekman;W. Wong;P. Zavalij;G. Nolas
通讯作者：
G. Nolas