Germanene on Insulators: Towards the realization of a 2D topological insulator
Germanene on Insulators: Towards the realization of a 2D topological insulator
绝缘体上的锗烯：实现二维拓扑绝缘体
批准号：
17K14116
负责人：
FLEURENCE ANTOINE
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(7)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1088/2053-1583/ab0a29
发表时间：
2019-04
期刊：
2D Materials
影响因子：
5.5
作者：
[F. B. Wiggers;A. Fleurence;K. Aoyagi;T. Yonezawa;Y. Yamada-Takamura;Haifeng Feng;J. Zhuang;Yi Du-;A. Kovalgin;M. D. Jong]
通讯作者：
F. B. Wiggers;A. Fleurence;K. Aoyagi;T. Yonezawa;Y. Yamada-Takamura;Haifeng Feng;J. Zhuang;Yi Du-;A. Kovalgin;M. D. Jong
Epitaxial silicene on ZrB2(0001) : a 2D allotrope of silicon
ZrB2(0001) 上的外延硅烯：硅的二维同素异形体
ZrB2(0001) 上的外延硅烯：硅的二维同素异形体
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fleurence A, Awatani Y, Wiggers F, Yonezawa T, Wallace S, Huet C, Yamada-Takamura Y, Fleurence A, Fleurence A]
通讯作者：
Fleurence A
Atomistic study of GaSe/Ge(111) interface formed through van der Waals epitaxy (poster presentation)
通过范德华外延形成的 GaSe/Ge(111) 界面的原子研究（海报展示）
通过范德华外延形成的 GaSe/Ge(111) 界面的原子研究（海报展示）
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Yonezawa, T. Murakami, K. Higashimine, A. Fleurence, Y. Oshima, and Y. Yamada-Takamura]
通讯作者：
and Y. Yamada-Takamura
DOI：
10.1002/sia.6557
发表时间：
2018-10
期刊：
Surface and Interface Analysis
影响因子：
1.7
作者：
[T. Yonezawa;T. Murakami;K. Higashimine;A. Fleurence;Y. Oshima;Y. Yamada-Takamura]
通讯作者：
T. Yonezawa;T. Murakami;K. Higashimine;A. Fleurence;Y. Oshima;Y. Yamada-Takamura
Epitaxial silicene on ZrB2(0001):Fabrication and properties
ZrB2(0001)上外延硅烯的制备与性能
ZrB2(0001)上外延硅烯的制备与性能
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Fleurence A, Awatani Y, Wiggers F, Yonezawa T, Wallace S, Huet C, Yamada-Takamura Y, Fleurence A, Fleurence A, Fleurence A, A. Fleurence, A. Fleurence, A. Fleurence, A. Fleurence]
通讯作者：
A. Fleurence
共 11 条
海外基金