Germanene on Insulators: Towards the realization of a 2D topological insulator

绝缘体上的锗烯：实现二维拓扑绝缘体

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Van der Waals integration of silicene and hexagonal boron nitride
  • DOI：
    10.1088/2053-1583/ab0a29
  • 发表时间：
    2019-04
  • 期刊：
    2D Materials
  • 影响因子：
    5.5
  • 作者：
    F. B. Wiggers;A. Fleurence;K. Aoyagi;T. Yonezawa;Y. Yamada-Takamura;Haifeng Feng;J. Zhuang;Yi Du-;A. Kovalgin;M. D. Jong
  • 通讯作者：
    F. B. Wiggers;A. Fleurence;K. Aoyagi;T. Yonezawa;Y. Yamada-Takamura;Haifeng Feng;J. Zhuang;Yi Du-;A. Kovalgin;M. D. Jong
Epitaxial silicene on ZrB2(0001) : a 2D allotrope of silicon
ZrB2(0001) 上的外延硅烯：硅的二维同素异形体
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fleurence A;Awatani Y;Wiggers F;Yonezawa T;Wallace S;Huet C;Yamada-Takamura Y;Fleurence A;Fleurence A
  • 通讯作者：
    Fleurence A
Atomistic study of GaSe/Ge(111) interface formed through van der Waals epitaxy (poster presentation)
通过范德华外延形成的 GaSe/Ge(111) 界面的原子研究（海报展示）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Yonezawa;T. Murakami;K. Higashimine;A. Fleurence;Y. Oshima;and Y. Yamada-Takamura
  • 通讯作者：
    and Y. Yamada-Takamura
Atomistic study of GaSe/Ge(111) interface formed through van der Waals epitaxy
  • DOI：
    10.1002/sia.6557
  • 发表时间：
    2018-10
  • 期刊：
    Surface and Interface Analysis
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    T. Yonezawa;T. Murakami;K. Higashimine;A. Fleurence;Y. Oshima;Y. Yamada-Takamura
  • 通讯作者：
    T. Yonezawa;T. Murakami;K. Higashimine;A. Fleurence;Y. Oshima;Y. Yamada-Takamura
Epitaxial silicene on ZrB2(0001):Fabrication and properties
ZrB2(0001)上外延硅烯的制备与性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fleurence A;Awatani Y;Wiggers F;Yonezawa T;Wallace S;Huet C;Yamada-Takamura Y;Fleurence A;Fleurence A;Fleurence A;A. Fleurence;A. Fleurence;A. Fleurence;A. Fleurence
  • 通讯作者：
    A. Fleurence
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