Improvement of permittivity of h-BN using super high-k layered dielectric for gate insulator
Improvement of permittivity of h-BN using super high-k layered dielectric for gate insulator
使用超高k层状电介质作为栅绝缘体提高h-BN的介电常数
批准号：
17K14656
负责人：
Hattori Yoshiaki
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Dielectric breakdown of h-BN and growth mechanism of DPh-DNTT
h-BN的介电击穿和DPh-DNTT的生长机制
h-BN的介电击穿和DPh-DNTT的生长机制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[灘吉 拓哉, 枡見 慎也, 関崎 真也, 西崎 一郎, 林田 智弘, Y. Hattori]
通讯作者：
Y. Hattori
Layered materials for electronics
电子器件用层状材料
电子器件用层状材料
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hattori Yoshiaki, Taniguchi Takashi, Watanabe Kenji, Nagashio Kosuke, Y. Hattori]
通讯作者：
Y. Hattori
DOI：
10.1103/physrevb.97.045425
发表时间：
2018-01-24
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
[Hattori, Yoshiaki, Taniguchi, Takashi, Nagashio, Kosuke]
通讯作者：
Nagashio, Kosuke
Random Telegraph Noise in h-BN under Constant-Voltage Stress Test
恒压应力试验下六方氮化硼的随机电报噪声
恒压应力试验下六方氮化硼的随机电报噪声
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio]
通讯作者：
and K. Nagashio
”hBNの絶縁性破壊強さの異方性とその起源”
“六方氮化硼介电击穿强度的各向异性及其起源”
“六方氮化硼介电击穿强度的各向异性及其起源”
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[. S. Egawa, H. Motoyama, G. Yamaguchi, S. Owada, Y. Kubota, Y. Matsuzawa, T. Kume, M. Yabashi, H. Mimura, 長汐晃輔,, 長汐晃輔,, 服部吉晃，長汐晃輔，]
通讯作者：
服部吉晃，長汐晃輔，
共 7 条
Improvement of carrier mobility in polycrystalline organic semiconductor thin films
-
批准号：19K15048
-
项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
-
资助金额：$2.66万
-
财政年份：2019
-
负责人：Hattori Yoshiaki
-
依托单位：
Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film for Gate Insulator
-
批准号：26886003
-
项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
-
资助金额：$1.75万
-
财政年份：2014
-
负责人：Hattori Yoshiaki
-
依托单位：