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Improvement of permittivity of h-BN using super high-k layered dielectric for gate insulator
使用超高k层状电介质作为栅绝缘体提高h-BN的介电常数
基本信息
- 批准号：17K14656
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Dielectric breakdown of h-BN and growth mechanism of DPh-DNTT
h-BN的介电击穿和DPh-DNTT的生长机制
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：灘吉 拓哉;枡見 慎也;関崎 真也;西崎 一郎;林田 智弘;Y. Hattori
- 通讯作者：Y. Hattori
Layered materials for electronics
电子器件用层状材料
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori
- 通讯作者：Y. Hattori
Impact ionization and transport properties of hexagonal boron nitride in a constant-voltage measurement
- DOI：10.1103/physrevb.97.045425
- 发表时间：2018-01-24
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：Hattori, Yoshiaki;Taniguchi, Takashi;Nagashio, Kosuke
- 通讯作者：Nagashio, Kosuke
Random Telegraph Noise in h-BN under Constant-Voltage Stress Test
恒压应力试验下六方氮化硼的随机电报噪声
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Hattori;T. Taniguchi;K. Watanabe;and K. Nagashio
- 通讯作者：and K. Nagashio
”hBNの絶縁性破壊強さの異方性とその起源”
“六方氮化硼介电击穿强度的各向异性及其起源”
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：. S. Egawa;H. Motoyama;G. Yamaguchi;S. Owada;Y. Kubota;Y. Matsuzawa;T. Kume;M. Yabashi; H. Mimura;長汐晃輔,;長汐晃輔,;服部吉晃，長汐晃輔，
- 通讯作者：服部吉晃，長汐晃輔，
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Hattori Yoshiaki其他文献
(Invited) Electrical Integrity and Anisotropy in Dielectric Breakdown of Layered h -BN Insulator
（特邀）层状h-BN绝缘体介电击穿的电完整性和各向异性
- DOI：
10.1149/07901.0091ecst - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nagashio Kosuke;Hattori Yoshiaki;Takahashi Nobuaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Bao Jianfeng;Norimatsu Wataru;Kusunoki Michiko - 通讯作者：
Kusunoki Michiko
Novel approach of die attach technology for SiC power module by pure Al thin film bonding
纯铝薄膜键合 SiC 功率模块芯片贴装技术的新方法
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kimura Yoshinari;Hattori Yoshiaki;Kitamura Masatoshi;Chuantong Chen,Katsuaki Suganuma - 通讯作者：
Chuantong Chen,Katsuaki Suganuma
In-situ TEM of Nanoscale ReRAM Devices
纳米级 ReRAM 器件的原位 TEM
- DOI：
10.1380/vss.61.766 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nagashio Kosuke;Hattori Yoshiaki;Takahashi Nobuaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Bao Jianfeng;Norimatsu Wataru;Kusunoki Michiko;有田正志，福地厚，高橋庸夫 - 通讯作者：
有田正志，福地厚，高橋庸夫
Formation of a mixed monolayer on a gold surface using fluorobenzenethiol and alkanethiol
使用氟苯硫醇和链烷硫醇在金表面形成混合单层
- DOI：
10.7567/1347-4065/ab4ebc - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Ikematsu Naoki;Takahashi Hayato;Hattori Yoshiaki;Kitamura Masatoshi - 通讯作者：
Kitamura Masatoshi
Chain-length dependence of optical properties for an alkanethiol monolayer on an ultrathin gold film revealed via reflected light microscopy
通过反射光显微镜揭示超薄金膜上链烷硫醇单层光学性质的链长依赖性
- DOI：
10.1021/acs.jpcc.1c03080 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Hattori Yoshiaki;Takahashi Hayato;Ikematsu Naoki;Kitamura Masatoshi - 通讯作者：
Kitamura Masatoshi
Hattori Yoshiaki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Hattori Yoshiaki', 18)}}的其他基金
Improvement of carrier mobility in polycrystalline organic semiconductor thin films
多晶有机半导体薄膜中载流子迁移率的改善
- 批准号：
19K15048 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film for Gate Insulator
栅绝缘体用六方氮化硼薄膜的介电击穿
- 批准号：
26886003 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up