Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film for Gate Insulator
Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film for Gate Insulator
栅绝缘体用六方氮化硼薄膜的介电击穿
批准号：
26886003
负责人：
Hattori Yoshiaki
金额：
$1.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-08-29 至 2016-03-31
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層状絶縁体h-BNの電気的絶縁破壊特性
层状绝缘体h-BN的电击穿特性
层状绝缘体h-BN的电击穿特性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔]
通讯作者：
長汐晃輔
Layer-by-layer Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film in Conductive AFM Measurement
导电 AFM 测量中六方氮化硼薄膜的逐层介电击穿
导电 AFM 测量中六方氮化硼薄膜的逐层介电击穿
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, & K. Nagashio]
通讯作者：
& K. Nagashio
単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性
单晶六方氮化硼介电击穿强度的各向异性
单晶六方氮化硼介电击穿强度的各向异性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔]
通讯作者：
長汐晃輔
Anisotropic Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film
六方氮化硼薄膜的各向异性介电击穿
六方氮化硼薄膜的各向异性介电击穿
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio]
通讯作者：
and K. Nagashio
h-BN 層状絶縁物質における電気的絶縁破壊挙動
h-BN层状绝缘材料的电击穿行为
h-BN层状绝缘材料的电击穿行为
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服部吉晃, 谷口尚, 渡邊賢司, 長汐晃輔]
通讯作者：
長汐晃輔
共 8 条
Improvement of carrier mobility in polycrystalline organic semiconductor thin films
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批准号：19K15048
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2019
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负责人：Hattori Yoshiaki
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依托单位：
Improvement of permittivity of h-BN using super high-k layered dielectric for gate insulator
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批准号：17K14656
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2017
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负责人：Hattori Yoshiaki
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依托单位：
海外基金