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{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film for Gate Insulator

栅绝缘体用六方氮化硼薄膜的介电击穿

基本信息

批准号：
26886003
负责人：
Hattori Yoshiaki
金额：
$ 1.75万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-08-29 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26886003/
关键词：
h-BN 絶縁破壊

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（17）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

層状絶縁体h-BNの電気的絶縁破壊特性

层状绝缘体h-BN的电击穿特性

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
服部吉晃;谷口尚;渡邊賢司;長汐晃輔
通讯作者：
長汐晃輔

Layer-by-layer Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film in Conductive AFM Measurement

导电 AFM 测量中六方氮化硼薄膜的逐层介电击穿

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Hattori;T. Taniguchi;K. Watanabe;& K. Nagashio
通讯作者：
& K. Nagashio

単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性

单晶六方氮化硼介电击穿强度的各向异性

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
服部吉晃;谷口尚;渡邊賢司;長汐晃輔
通讯作者：
長汐晃輔

Anisotropic Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride Film

六方氮化硼薄膜的各向异性介电击穿

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Hattori;T. Taniguchi;K. Watanabe;and K. Nagashio
通讯作者：
and K. Nagashio

h-BN 層状絶縁物質における電気的絶縁破壊挙動

h-BN层状绝缘材料的电击穿行为

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
服部吉晃;谷口尚;渡邊賢司;長汐晃輔
通讯作者：
長汐晃輔

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Hattori Yoshiaki其他文献

(Invited) Electrical Integrity and Anisotropy in Dielectric Breakdown of Layered h -BN Insulator

（特邀）层状h-BN绝缘体介电击穿的电完整性和各向异性

DOI：
10.1149/07901.0091ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Nagashio Kosuke;Hattori Yoshiaki;Takahashi Nobuaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Bao Jianfeng;Norimatsu Wataru;Kusunoki Michiko
通讯作者：
Kusunoki Michiko

Novel approach of die attach technology for SiC power module by pure Al thin film bonding

纯铝薄膜键合 SiC 功率模块芯片贴装技术的新方法

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kimura Yoshinari;Hattori Yoshiaki;Kitamura Masatoshi;Chuantong Chen,Katsuaki Suganuma
通讯作者：
Chuantong Chen,Katsuaki Suganuma

In-situ TEM of Nanoscale ReRAM Devices

纳米级 ReRAM 器件的原位 TEM

DOI：
10.1380/vss.61.766
发表时间：
2018
期刊：
Vacuum and Surface Science
影响因子：
0
作者：
Nagashio Kosuke;Hattori Yoshiaki;Takahashi Nobuaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Bao Jianfeng;Norimatsu Wataru;Kusunoki Michiko;有田正志，福地厚，高橋庸夫
通讯作者：
有田正志，福地厚，高橋庸夫

Formation of a mixed monolayer on a gold surface using fluorobenzenethiol and alkanethiol

使用氟苯硫醇和链烷硫醇在金表面形成混合单层

DOI：
10.7567/1347-4065/ab4ebc
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ikematsu Naoki;Takahashi Hayato;Hattori Yoshiaki;Kitamura Masatoshi
通讯作者：
Kitamura Masatoshi

金属電極とのバリアハイトを考慮した極薄h-BNの絶縁性評価

考虑势垒高度的金属电极超薄h-BN绝缘评估

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hattori Yoshiaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Nagashio Kosuke;Y. Hattori;Y. Hattori;服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔
通讯作者：
服部吉晃,谷口尚,渡邉健司,長汐晃輔