Electrical characterization of the BaSi2/Si heterojunction fabricated by rapid thermal evaporation
Electrical characterization of the BaSi2/Si heterojunction fabricated by rapid thermal evaporation
快速热蒸发制备的 BaSi2/Si 异质结的电学特性
批准号：
17K14657
负责人：
HARA Kosuke
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
近接蒸着によるBaSi2薄膜作製
通过邻近蒸发法制备 BaSi2 薄膜
通过邻近蒸发法制备 BaSi2 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原康祐, 瀧澤周平, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和]
通讯作者：
中川清和
Formation of SnS/BaSi2 Heterojunction by Sequential Thermal Evaporation toward Solar Cell Applications
通过顺序热蒸发形成 SnS/BaSi2 异质结，用于太阳能电池应用
通过顺序热蒸发形成 SnS/BaSi2 异质结，用于太阳能电池应用
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hara, K. O., Arimoto, K., Yamanaka, J., and Nakagawa, K.]
通讯作者：
K.
BaSi2蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響
BaSi2沉积膜中氧浓度的降低及其对晶体取向的影响
BaSi2沉积膜中氧浓度的降低及其对晶体取向的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原康祐, 山中淳二, 有元圭介, 中川清和, 宇佐美徳隆]
通讯作者：
宇佐美徳隆
高速熱蒸着によるBaSi2薄膜作製技術の進展
快速热蒸发制备BaSi2薄膜技术研究进展
快速热蒸发制备BaSi2薄膜技术研究进展
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原康祐, 瀧澤周平, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和]
通讯作者：
中川清和
共 26 条
Realization of a high-efficiency thin-film solar cell using ionic BaSi2 semiconductor
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批准号：15K18040
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2015
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负责人：HARA Kosuke
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依托单位：
海外基金