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Electrical characterization of the BaSi2/Si heterojunction fabricated by rapid thermal evaporation
快速热蒸发制备的 BaSi2/Si 异质结的电学特性
基本信息
- 批准号：17K14657
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Formation of SnS/BaSi2 Heterojunction by Sequential Thermal Evaporation toward Solar Cell Applications
通过顺序热蒸发形成 SnS/BaSi2 异质结，用于太阳能电池应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hara;K. O.;Arimoto;K.;Yamanaka;J.;and Nakagawa;K.
- 通讯作者：K.
BaSi2蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響
BaSi2沉积膜中氧浓度的降低及其对晶体取向的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：原康祐;山中淳二;有元圭介;中川清和;宇佐美徳隆
- 通讯作者：宇佐美徳隆
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- 批准号：
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$ 2.75万 - 项目类别：
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