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Improvement of Thermoelectric Properties of Nanostructure Embedded Thermoelectric Material Using Biological Fabrication Process

利用生物制造工艺改善纳米结构嵌入热电材料的热电性能

基本信息

批准号：
26870370
负责人：
Uenuma Mutsunori
金额：
$ 2.16万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（22）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Characterization of Thermoelectric Properties of Amorphous InGaZnO Thin Film

非晶InGaZnO薄膜的热电性能表征

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuta　Fujimoto;Mutsunori Uenuma;Yasuaki Ishikawa;and Uraoka　Yukiharu
通讯作者：
and Uraoka　Yukiharu

熱電応用に向けたPEG修飾フェリチンによるナノ構造形成

使用 PEG 修饰铁蛋白形成纳米结构用于热电应用

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤本裕太;上沼睦典;多和勇樹;岡本尚文;石河泰明;山下一郎;浦岡行治
通讯作者：
浦岡行治

a-InGaZnO薄膜の熱電特性評価

a-InGaZnO薄膜的热电性能评价

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤本裕太;上沼睦典;石河泰明;浦岡行治
通讯作者：
浦岡行治

A Distance-Controlled Nanoparticle Array Using PEGylated Ferritin

使用聚乙二醇化铁蛋白的距离控制纳米颗粒阵列

DOI：
10.1088/2053-1591/1/4/045410
发表时间：
2014
期刊：
Materials Research Express
影响因子：
2.3
作者：
Chao He;Mutsunori Uenuma;Naofumi Okamoto;Hiroki Kamitake;Yasuaki Ishikawa;Ichiro Yamashita;and Yukiharu Uraoka
通讯作者：
and Yukiharu Uraoka

Improved Thermoelectric Properties of a-InGaZnO Thin Film by using nanostructure

利用纳米结构改善a-InGaZnO薄膜的热电性能

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤本裕太;上沼睦典;多和勇樹;岡本尚文;石河泰明;山下一郎;and 浦岡行治
通讯作者：
and 浦岡行治

DOI：
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作者：
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作者：
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Uenuma Mutsunori其他文献

エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察

M-V复合氧化物（M=Nb、Mo、W）在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉
通讯作者：
下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉

低酸化数金属種から構成されるMo酸化物の酸化触媒機能

低氧化数金属物种组成的Mo氧化物的氧化催化功能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉;宮沢真維・下田光祐・石川理史・上田渉
通讯作者：
宮沢真維・下田光祐・石川理史・上田渉

Control of the interface and the film quality of SiO2 / GaN MOS by　high pressure water vapor annealing

高压水蒸气退火控制SiO2/GaN MOS界面及薄膜质量

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuta Tominaga;Katsunori Ueno;Koji Yoshitsugu;Uenuma Mutsunori;Yuta Fujimoto;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
通讯作者：
Yukiharu Uraoka

High-Kを利用した４端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用

使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sugisaki Sumio;Matsuda Tokiyoshi;Uenuma Mutsunori;Nabatame Toshihide;Nakashima Yasuhiko;Imai Takahito;Magari Yusaku;Koretomo Daichi;Furuta Mamoru;Kimura Mutsumi;原明人，西口尚希
通讯作者：
原明人，西口尚希