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Improving thermoelectric properties of amorphous and nanocrystal oxide semiconductor thin films

提高非晶和纳米晶氧化物半导体薄膜的热电性能

基本信息

批准号：
18K04939
负责人：
Uenuma Mutsunori
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（23）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

薄膜を用いた熱電素子による環境発電

使用薄膜热电元件进行能量收集

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
村川星斗;上沼睦典;石河泰明;浦岡行治;上沼睦典;上沼睦典
通讯作者：
上沼睦典

pn接合を有する熱電薄膜の熱起電力評価

p-n结热电薄膜的热电动势评估

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
村川星斗;上沼睦典;梅田鉄馬;Jenichi Felizco;石河泰明;浦岡行治
通讯作者：
浦岡行治

Thermoelectric Properties of Bimetal-catalyzed InGaO3(ZnO)4 Nanowire

双金属催化InGaO3(ZnO)4纳米线的热电性能

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jenichi Felizco;Mutsunori Uenuma;Daisuke Senaha;Kenta Umeda;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
通讯作者：
Yukiharu Uraoka

Thermoelectric Properties in Thin Film with pn Junction

pn 结薄膜的热电特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hoshito Murakawa;Mutsunori Uenuma;Jenichi Felizco;Yukiharu Uraoka
通讯作者：
Yukiharu Uraoka

Aalto University(フィンランド)

阿尔托大学（芬兰）

DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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作者：
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Uenuma Mutsunori其他文献

エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察

M-V复合氧化物（M=Nb、Mo、W）在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论

DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉
通讯作者：
下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉

低酸化数金属種から構成されるMo酸化物の酸化触媒機能

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉;宮沢真維・下田光祐・石川理史・上田渉
通讯作者：
宮沢真維・下田光祐・石川理史・上田渉

Control of the interface and the film quality of SiO2 / GaN MOS by　high pressure water vapor annealing

高压水蒸气退火控制SiO2/GaN MOS界面及薄膜质量

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuta Tominaga;Katsunori Ueno;Koji Yoshitsugu;Uenuma Mutsunori;Yuta Fujimoto;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
通讯作者：
Yukiharu Uraoka

High-Kを利用した４端子poly-Si TFTのpHセンサへの応用

使用高 K 的 4 端多晶硅 TFT 在 pH 传感器中的应用

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sugisaki Sumio;Matsuda Tokiyoshi;Uenuma Mutsunori;Nabatame Toshihide;Nakashima Yasuhiko;Imai Takahito;Magari Yusaku;Koretomo Daichi;Furuta Mamoru;Kimura Mutsumi;原明人，西口尚希
通讯作者：
原明人，西口尚希