Lattice defects of multi metal oxide materials

多金属氧化物材料的晶格缺陷

基本信息

  • 批准号:
    26870717
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(15)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Low temperature deposition of SiOx insulator film with newly developed facing electrodes chemical vapor deposition
  • DOI:
    10.1016/j.vacuum.2013.08.003
  • 发表时间:
    2014-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    T. Matsuda;M. Furuta;T. Hiramatsu;H. Furuta;T. Kawaharamura;T. Hirao
  • 通讯作者:
    T. Matsuda;M. Furuta;T. Hiramatsu;H. Furuta;T. Kawaharamura;T. Hirao
新規レアメタルフリーAOS-TFTの研究開発
新型无稀有金属AOS-TFT的研发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    梅田 鉄馬;加藤 雄太;西本 大樹;松田 時宜;木村 睦
  • 通讯作者:
    木村 睦
Development and Evaluation of New oxide semiconductor
新型氧化物半导体的开发与评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
  • 通讯作者:
    and Mutsumi Kimura
Paramagnetic Defects in Oxide Semiconductor Films Deposited by RF Magnetron Sputtering (RFマグネトロンスパッタリング法によって成膜された酸化物半導体薄膜中に導入された常磁性欠陥)
射频磁控溅射沉积氧化物半导体薄膜中的顺磁缺陷
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
  • 通讯作者:
    and Mutsumi Kimura
Evaluation of Defects in Oxide Semiconductors using Electron Spin Resonance (ESR)
使用电子自旋共振 (ESR) 评估氧化物半导体中的缺陷
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
  • 通讯作者:
    and Mutsumi Kimura
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Matsuda Tokiyoshi其他文献

SML#の並列処理機能とその性能
SML并行处理函数及其性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;上野雄大,大堀淳
  • 通讯作者:
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関係代数を基礎とするプログラムに現れる名前解析システム
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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    Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;上野雄大,大堀淳;大堀淳,上野雄大
  • 通讯作者:
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压痕显微镜:评估玻璃变形和裂纹的强大工具
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takishita Yuta;Kobayashi Masaki;Hattori Kazuki;Matsuda Tokiyoshi;Sugisaki Sumio;Nakashima Yasuhiko;Kimura Mutsumi;Satoshi Yoshida
  • 通讯作者:
    Satoshi Yoshida
押し込み試験中のガラスの応力分布とクラック発生挙動の関係
压痕试验时玻璃应力分布与裂纹产生行为的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    浅井 敬祐,吉田 智,山田 明寛,松岡 純,アンドレイ エラパルト,チャールズ カーキャン
Room-temperature fabrication of a Ga-Sn-O thin-film transistor
Ga-Sn-O薄膜晶体管的室温制造
  • DOI:
    10.1016/j.sse.2017.05.006
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Matsuda Tokiyoshi;Takagi Ryo;Umeda Kenta;Kimura Mutsumi
  • 通讯作者:
    Kimura Mutsumi

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Development of Rare-metal-free Ga-Sn-O electron devices with defect evaluation
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
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  • 批准号:
    23K23119
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    24H00200
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
プラズマ複合浄化法による船舶高濃度NOx・SOx・微粒子同時処理技術
等离子体复合净化法船舶高浓度NOx、SOx、颗粒物同步处理技术
  • 批准号:
    23K26320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
過渡電界制御振動励起プラズマによる高効率プラズマ窒素固定の基盤確立
建立瞬态电场控制振动激发等离子体高效等离子体固氮基础
  • 批准号:
    23K25861
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了