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Development of Rare-metal-free Ga-Sn-O electron devices with defect evaluation

开发具有缺陷评估功能的无稀有金属 Ga-Sn-O 电子器件

基本信息

批准号：
16K06733
负责人：
Matsuda Tokiyoshi
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Ryukoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06733/
关键词：
酸化物半導体薄膜トランジスタレアメタル熱電素子フレキシブルデバイスアモルファス酸化物半導体酸化ガリウムスズ電圧ストレス試験低温TFT ミストCVD 抵抗変化型メモリーニューラルネットワーク格子欠陥光照射電圧ストレス試験機能性セラミックス材料酸素空孔薄膜デバイス

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transistor.

DOI：
10.1038/srep44326
发表时间：
2017-03-14
期刊：
Scientific reports
影响因子：
4.6
作者：
Matsuda T;Umeda K;Kato Y;Nishimoto D;Furuta M;Kimura M
通讯作者：
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Evaluation of Defects in Oxide Semiconductors using Electron Spin Resonance (ESR)

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DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tokiyoshi Matsuda;and Mutsumi Kimura
通讯作者：
and Mutsumi Kimura

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DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
and Mutsumi Kimura

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紫外退火处理的Ga-Sn-O TFT特性分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Tanino;R. Takagi;M. Kimura;and T. Matsuda
通讯作者：
and T. Matsuda

酸化物半導体の研究開発と電子デバイスへの新規応用

氧化物半导体的研发及其在电子器件中的新应用

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
木村睦;松田時宜
通讯作者：
松田時宜

DOI：
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作者：
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作者：
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通讯作者：
浅井敬祐，吉田智，山田明寛，松岡純，アンドレイ　エラパルト，チャールズ　カーキャン