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Research and development of complimentary high electron mobility transistor for next-generation information and communication technology

Research and development of complimentary high electron mobility transistor for next-generation information and communication technology
用于下一代信息和通信技术的互补高电子迁移率晶体管的研究和开发
批准号：
26870910
负责人：
Hara Shinsuke
金额：
$2.58万
依托单位：
National Institute of Information and Communications Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870910/
关键词：
電子デバイスヘテロ構造結晶成長エピタキシャル成長

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InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価
InGaSb异质外延薄膜的薄膜质量评价
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Ryosuke Senga, Kazu Suenaga, 千賀 亮典, 千賀 亮典, 原紳介,渡邊一世,竹鶴達哉,辻大介,藤川紗千恵,藤代博記,赤羽浩一,笠松章史]
通讯作者： 原紳介,渡邊一世,竹鶴達哉,辻大介,藤川紗千恵,藤代博記,赤羽浩一,笠松章史
Localization techniques where conventional techniques are unusable
  • 批准号：
    25289115
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.74万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    Hara Shinsuke
  • 依托单位：
    Osaka City University
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