混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究

〔生駒ら〕集束イオンビーム技術を用いて面内量子効果を実現するため, GaAs量子細線をAlGaAs/GaAs界面に形成し, 量子干渉効果の観測に成功した.〔本間ら〕選択ドープGaInAs構造における量子電子輸送特性を明らかにした. またGaAs/InAs超格子の成長を行い, 電気的・光学的特性の評価を行った.〔舛本ら〕GaAs-Al_<0.29>Ga_<0.71>As超格子にPopulation mixing分光を初めて適用した. 又混晶を井戸とする多重量子井戸の発光を4.2K〜300Kで研究した.〔青柳ら〕可視レーザ光照射をMOVPE法に応用して量子井戸構造を製作, 単原子層レベルの成長制御が可能となった. 100周期超格子構造の2次元励起子・電子の発生から励起子発光消滅に至るエネルギー緩和過程をピコ秒分光法で解析した.〔花村ら〕量子井戸設計では, 井戸に対しエネルギギャップが大きく, 誘電率の小さい障壁が有利である. この系の非線型感受率の励起周波数依存生とその絶対値を求めた. レーザ系を励起変調することによりコヒーレンス性を良く制御できることを数値計算により示した.〔榊ら〕GaAsとAlAs(又はAlx Ga_<1-x>As)との積層短周期超格子構造を擬似混晶として利用するこを可能にするため, 成長技術・物性・応用の一連の研究を行い成果を得た.〔荒井ら〕量子井戸構造における電界印加時の屈折率変化を測定し, また交差型光スイッチ素子を試作し, 反射型素子の光スイッチング動作を初めて実証した. 〔梅野ら〕Si上に成長したGaPの上にGaP/GaAsP歪超格子, GaAsP/GaAs歪超格子を成長し, 欠陥の評価を行った. 成長は放射状マニホールドを備えたMOCVD装置を新たに導入して行った.〔松浦ら〕電子-正孔分離型, いわゆるタイプII量子井戸系における励起子の理論計算を行い, その一般的な性質を明らかにした.

〔生駒ら〕集束イオンビーム技術を用いて面内量子効果を実現するため, GaAs量子細線をAlGaAs/GaAs界面に形成し, 量子干渉効果の観測に成功した.〔本間ら〕選択ドープGaInAs構造における量子電子輸送特性を明らかにした. またGaAs/InAs超格子の成長を行い, 電気的・光学的特性の評価を行った.〔舛本ら〕GaAs-Al_<0.29>Ga_<0.71>As超格子にPopulation mixing分光を初めて適用した. 又混晶を井戸とする多重量子井戸の発光を4.2K〜300Kで研究した.〔青柳ら〕可視レーザ光照射をMOVPE法に応用して量子井戸構造を製作, 単原子層レベルの成長制御が可能となった. 100周期超格子構造の2次元励起子・電子の発生から励起子発光消滅に至るエネルギー緩和過程をピコ秒分光法で解析した.〔花村ら〕量子井戸設計では, 井戸に対しエネルギギャップが大きく, 誘電率の小さい障壁が有利である. この系の非線型感受率の励起周波数依存生とその絶対値を求めた. レーザ系を励起変調することによりコヒーレンス性を良く制御できることを数値計算により示した.〔榊ら〕GaAsとAlAs(又はAlx Ga_<1-x>As)との積層短周期超格子構造を擬似混晶として利用するこを可能にするため, 成長技術・物性・応用の一連の研究を行い成果を得た.〔荒井ら〕量子井戸構造における電界印加時の屈折率変化を測定し, また交差型光スイッチ素子を試作し, 反射型素子の光スイッチング動作を初めて実証した. 〔梅野ら〕Si上に成長したGaPの上にGaP/GaAsP歪超格子, GaAsP/GaAs歪超格子を成長し, 欠陥の評価を行った. 成長は放射状マニホールドを備えたMOCVD装置を新たに導入して行った.〔松浦ら〕電子-正孔分離型, いわゆるタイプII量子井戸系における励起子の理論計算を行い, その一般的な性質を明らかにした.