混晶の薄膜および界面における量子効果とその応用に関する研究

量子效应及其在薄膜和混晶界面中的应用研究

• 批准号: 62104001
• 负责人: 生駒 俊明
• 金额: $ 16.51万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 1987
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62104001/
• 关键词: 面内量子効果; トンネル; ピコ秒分光; 光非線型分極率; サブモノレヤー成長; 歪超格子; 量子井戸励起子

〔生駒ら〕集束イオンビーム技術を用いて面内量子効果を実現するため, GaAs量子細線をAlGaAs/GaAs界面に形成し, 量子干渉効果の観測に成功した.〔本間ら〕選択ドープGaInAs構造における量子電子輸送特性を明らかにした. またGaAs/InAs超格子の成長を行い, 電気的・光学的特性の評価を行った.〔舛本ら〕GaAs-Al_<0.29>Ga_<0.71>As超格子にPopulation mixing分光を初めて適用した. 又混晶を井戸とする多重量子井戸の発光を4.2K〜300Kで研究した.〔青柳ら〕可視レーザ光照射をMOVPE法に応用して量子井戸構造を製作, 単原子層レベルの成長制御が可能となった. 100周期超格子構造の2次元励起子・電子の発生から励起子発光消滅に至るエネルギー緩和過程をピコ秒分光法で解析した.〔花村ら〕量子井戸設計では, 井戸に対しエネルギギャップが大きく, 誘電率の小さい障壁が有利である. この系の非線型感受率の励起周波数依存生とその絶対値を求めた. レーザ系を励起変調することによりコヒーレンス性を良く制御できることを数値計算により示した.〔榊ら〕GaAsとAlAs(又はAlx Ga_<1-x>As)との積層短周期超格子構造を擬似混晶として利用するこを可能にするため, 成長技術・物性・応用の一連の研究を行い成果を得た.〔荒井ら〕量子井戸構造における電界印加時の屈折率変化を測定し, また交差型光スイッチ素子を試作し, 反射型素子の光スイッチング動作を初めて実証した. 〔梅野ら〕Si上に成長したGaPの上にGaP/GaAsP歪超格子, GaAsP/GaAs歪超格子を成長し, 欠陥の評価を行った. 成長は放射状マニホールドを備えたMOCVD装置を新たに導入して行った.〔松浦ら〕電子-正孔分離型, いわゆるタイプII量子井戸系における励起子の理論計算を行い, その一般的な性質を明らかにした.

The application of cluster technology to the realization of in-plane quantum effect, GaAs quantum fine wire AlGaAs/GaAs interface formation, quantum interference effect testing success The quantum electron transport properties of GaInAs structures are clearly demonstrated. GaAs/InAs superlattice growth, electrical and optical properties evaluation. GaAs-Al_<0.29>Ga_<0.71>As superlattice Population mixing spectroscopy Study on Optical Emission from Multiple Quantum Wells in Mixed Crystals at 4.2 K ~ 300K [Aoyanagi] Visible light irradiation MOVPE method is used to fabricate quantum well structures, and atomic layer growth is possible. 100-period superlattice structure of the two-dimensional excitation·electron generation, excitation·light emission elimination, to the generation of the relaxation process, two-second spectroscopic analysis. [Hanamura] Quantum well design, well on the opposite side of the life of the barrier is a large, small inductance of the barrier is beneficial. The nonlinear sensitivity of the system depends on the excitation cycle number and the absolute value. The system is excited to adjust, and the system is controlled. GaAs and AlAs(also AlxGa_<1-x>As) and multilayer short-period superlattice structure are obtained. The quantum well structure is used to measure the refractive index of the electric field, and the refractive index of the optical element of the cross type is used to test the refractive index of the optical element of the reflection type. [Ueno] Si on top of GaP/GaAsP skew superlattice, GaAsP/GaAs skew superlattice on top of GaP on top of GaAsP/GaAs skew superlattice on top of GaAsP The growth of radial MOCVD [Matsuura] Electron-positive hole separation type, in the middle of the quantum well system, the theoretical calculation of the excitation is carried out, and the general properties of the system are clearly stated.